W E E E S H B40S ... B500S B40S ... B500S I = 1.0 A V = 80...1000 V FAV RRM V < 1.1 V I = 45/50 A F FSM SMD Single Phase Bridge Rectifier Tjmax = 150C trr ~ 1500 ns SMD Einphasen-Brckengleichrichter Version 2019-04-24 Typical Applications Typische Anwendungen SO-DIL 50/60 Hz Mains Rectification, 50/60 Hz Netzgleichrichtung, SLIM Power Supplies Stromversorgungen 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) Features Besonderheiten 0.5 UL recognized, File E175067 UL-anerkannt, Liste E175067 5.1 7.9 Slim Profile 2.5 mm Schlanke Bauhhe 2.5 mm 0.4 10.2 -0.2 8.3 Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 1 1 ~ ~ Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Type Typ Taped and reeled 1500 / 13 Gegurtet auf Rolle + -0.3 Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. 1.3 Case material UL 94V-0 Gehusematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen Dimensions - Mae mm MSL = 1 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) Type Part No. Max. alternating input voltage Repetitive peak reverse voltage Typ Artikel-Nr. Max. Eingangswechselspannung Periodische Spitzensperrspannung 3 4 V V ) V V ) VRMS RRM B40S B40S-SLIM 40 80 B80S B80S-SLIM 80 160 B125S B125S-SLIM 125 250 B250S B250S-SLIM 250 600 B380S B380S-SLIM 380 800 B500S B500S-SLIM 500 1000 5 Max. rectified output current R-load 1.0 A ) T = 50C I A FAV 5 Dauergrenzstrom am Brckenausgang C-load 0.8 A ) Repetitive peak forward current 5 f > 15 Hz I 9A ) FRM Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Half sine-wave 50 Hz (10 ms) 45 A IFSM Stostrom in Fluss-Richtung Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) 50 A Rating for fusing 2 2 t < 10 ms i t 10.1 A s Grenzlastintegral Operating junction temperature Sperrschichttemperatur T -50...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -50...+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben A A 3 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM Evtl. berlagerte Spannungsspitzen drfen VRRM nicht berschreiten 4 Valid per Diode Gltig pro Diode 2 2 5 Mounted on P.C. Board with 13 x 13 mm copper pads Montage auf Leiterplatte mit 13 x 13 mm Kupferbelag (Ltpads) Diotec Semiconductor AG B40S ... B500S Characteristics Kennwerte Forward voltage 1 T = 25C I = 1 A V < 1.1 V ) j F F Durchlass-Spannung Leakage current 1 T = 25C V = V I < 5 A ) j R RRM R Sperrstrom Reverse recovery time I = 0.5 A through/ber F 1 t typ. 1500 ns ) rr Sperrverzug I = 1 A to I = 0.25 A R R 1 Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazitt VR = 4 V Cj 25 pF ) Typical thermal resistance junction to ambient (per device) 2 R 40 K/W ) thA Typischer Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung (pro Bauteil) Typical thermal resistance junction to terminal (per device) R 15 K/W thT Typischer Wrmewiderstand Sperrschicht Anschluss (pro Bauteil) Type Recomm. protective resistance Admiss. load capacitor at R t 3) R Typ Empf. Schutzwiderstand Zul. Ladekondensator mit Rt t 3 4 R ) C F ) t L ~ B40S 1.7 2900 0.005 + B80S 3.5 1400 0.005 B125S 5.5 900 0.005 4) ~ C L B250S 13.3 350 0.005 B380S 17.7 280 0.005 B500S 22.2 220 0.005 2 120 10 % A 100 T = 125C j 10 80 T = 25C j 1 60 40 -1 10 20 I F I FAV 40a-(1a-1.1v) -2 10 0 0.4 V 0.8 1.0 1.2 1.4 V 1.8 0 T 50 100 150 C F A 2 Rated forward current versus ambient temperature ) Forward characteristics (typical values) 2 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Valid per Diode Gltig pro Diode 2 2 2 Mounted on P.C. Board with 13 x 13 mm copper pads Montage auf Leiterplatte mit 13 x 13 mm Kupferbelag (Ltpads) 3 Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded R ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein berschreiten von I verhindert t FSM 4 C = 5 ms / R If the R C time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, C can be charged completely in a L t t L L single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only Falls die R C Zeitkonstante kleiner ist als der 50Hz-Netzperiode, kann C innerhalb einer einzigen t L L Netzhalbwelle komplett geladen werden. I tritt dann nur als Einzelpuls auf FSM 2