W E E E S H BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 I = 200 mA V = 40 V FAV RRM V < 0.38 V I = 600 mA F1 FSM SMD Small Signal Schottky Diodes Tjmax = 150C trr < 5 ns SMD Kleinsignal-Schottky-Dioden Version 2021-11-27 SOT-23 Typical Applications Typische Anwendungen TO-236 Signal processing, High-speed Signalverarbeitung, Schnelles switching, Polarity protection Schalten, Verpolschutz 3 Commercial grade Standardausfhrung 1 1 Suffix -Q: AEC-Q101 compliant ) Suffix -Q: AEC-Q101 konform ) 1 1 Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification ) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation ) 1 Features Besonderheiten Very high switching speed Extrem schnelles Schalten 2 Low junction capacitance Niedrige Sperrschicht-Kapazitt Low leakage current Niedriger Sperrstrom Compliant to RoHS (w/o exemp.), Konform zu RoHS (ohne Ausn.), 1 1 Pb REACH, Conflict Minerals ) REACH, Konfliktmineralien ) 1 SPICE Model & STEP File ) 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Marking Code Taped and reeled 3000 / 7 Gegurtet auf Rolle See below XX Siehe unten XX Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. HS Code 85411000 Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAS40/-AQ Single BAS40-04 Series 43 Diode 44 Connection BAS40-05 /-Q Common BAS40-06 Common 45 Cathode 46 Anode 1 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) 2 3 Power dissipation Verlustleistung ) P 310 mW ) tot 4 Max. average forward current Dauergrenzstrom DC I 200 mA ) FAV 4 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA ) Non repetitive peak forward surge current Stostrom-Grenzwert t 1 s I 600 mA p FSM Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung V 40 V RRM Reverse voltage Sperrspannung DC V 40 V R Junction temperature Sperrschichttemperatur T -55...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur TS -55+150C 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 1 T = 25C and per diode, unless otherwise specified T = 25C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben A A 2 Total power dissipation of both diodes Summe der Verlustleistungen beider Dioden 2 2 3 Mounted on PCB with 3 mm copper pad per each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Ltpad je Anschluss Diotec Semiconductor AG BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 Characteristics Kennwerte Forward voltage I = 1 mA < 380 mV F T = 25C V j F Durchlass-Spannung IF = 40 mA < 1000 mV Leakage current 1 T = 25C V = 30 V I < 200 nA ) j R R Sperrstrom Breakdown voltage 1 T = 25C I = 10 A V > 40 V ) j R BR Abbruch-Spannung Junction capacitance V = 0 V, f = 1 MHz C < 5 pF R T Sperrschichtkapazitt Reverse recovery time I = 10 mA ber/through F trr < 5 ns Sperrverzug I = 10 mA bis/to I = 1 mA R R Typical thermal resistance junction to ambient 2 R 400 K/W ) thA Typischer Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung Dimensions Mae mm 120 % 100 80 60 40 20 P tot 0 0 T 150 50 100 C A 1 Power dissipation versus ambient temperature ) 1 Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp. ) 4 1 10 4.0 T = 125C j A nA pF 3 -1 10 10 3.0 T = 75C j -2 2 2.0 10 10 T = -40C j T = 25C j T = 0C j -3 10 1.0 10 T = 25C j T = 75C j I I F R T = 0C T = -40C j j C T = 125C T j 0 -4 10 1 0.1 V 0.3 0.4 0.5 0.6 V 0.8 5 V 15 20 25 30 V 40 0 V 10 20 V 30 40 F R R Typical Junction Capacitance Typical forward characteristics Typical reverse characteristics Typische Sperrschichtkapazitt Typische Kennlinien in Durchlassrichtung Typische Kennlinien in Sperrrichtung 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses t = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen t = 300 s, Schaltverhltnis 2% p p 2 2 2 Mounted on PCB with 3 mm copper pad per each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Ltpad je Anschluss 2