W E E E S H BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06 BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06 I = 70 mA V = 70 V FAV RRM V < 0.41 V I = 100 mA F1 FSM SMD Small Signal Schottky Diodes Tjmax = 150C trr < 5 ns SMD Kleinsignal-Schottkydioden Version 2018-11-22 Typical Applications Typische Anwendungen Signal processing, High-speed Signalverarbeitung, Schnelles switching, Polarity protection Schalten, Verpolschutz SOT-23 Commercial grade Standardausfhrung 1 1 (TO-236) Suffix -Q: AEC-Q101 compliant ) Suffix -Q: AEC-Q101 konform ) 1 1 Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification ) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation ) +0.1 0.1 Features Besonderheiten -0.2 1.1 2.9 +0.1 Very high switching speed Extrem schnelles Schalten 0.4 -0.05 3 Low junction capacitance Niedrige Sperrschicht-Kapazitt Low leakage current Niedriger Sperrstrom Type Code Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, 1 1 Pb Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 1 2 1 1 0.1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) 1.9 Taped and reeled 3000 / 7 Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. Dimensions - Mae mm Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAS70 BAS70-04/-Q 3 3 Type Type Single Series Code Code Diode Connection 73 74 1 2 1 2 1 = A 2 = n. c. 3 = C 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 BAS70-05/-Q BAS70-06 3 3 Type Type Common Common Code Code Cathode Anode 75 76 1 2 1 2 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) 3 4 Power dissipation Verlustleistung ) P 200 mW ) tot 4 Max. average forward current Dauergrenzstrom DC IFAV 70 mA ) 4 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom I 70 mA ) FRM Non repetitive peak forward surge current Stostrom-Grenzwert t 1 s I 100 mA p FSM Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung V 70 V RRM Junction temperature Sperrschichttemperatur T -55...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur TS -55+150C 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 TA = 25C and per diode, unless otherwise specified TA = 25C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben 3 Total power dissipation of both diodes Summe der Verlustleistungen beider Dioden 2 4 Mounted on P.C. board with 3 mm copper pad at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss Diotec Semiconductor AG BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06 Characteristics Kennwerte Forward voltage I = 1 mA < 410 mV F T = 25C V j F Durchlass-Spannung IF = 15 mA < 1000 mV Leakage current 1 T = 25C V = 50 V I < 100 nA ) j R R Sperrstrom Breakdown voltage 1 T = 25C I = 10 A V > 70 V ) j R BR Abbruchspannung Max. junction capacitance V = 0 V, f = 1 MHz C 2 pF R T Max. Sperrschichtkapazitt Reverse recovery time I = 10 mA ber/through F trr < 5 ns Sperrverzug I = 10 mA bis/to I = 1 mA R R Typical thermal resistance junction to ambient 2 R 625 K/W ) thA Typischer Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung 120 % A 100 80 60 40 20 I F P tot 0 0 T 50 100 150 C A 2 Forward characteristics (typical values) Power dissipation versus ambient temperature ) 2 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen t = 300 s, Schaltverhltnis 2% p 2 2 Mounted on P.C. board with 3 mm copper pad at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2