W E E E S H CS10S ... CS50S CS10S ... CS50S I = 1 A V = 20...100 V FAV RRM V < 0.5 V I = 40/44 A F1 FSM SMD Schottky Bridge Rectifier Tjmax = 150C trr ~ 1500 ns SMD Schottky-Brckengleichrichter Version 2018-07-18 Typical Applications Typische Anwendungen SO-DIL Rectification of higher frequencies Gleichrichtung hoher Frequenzen SLIM Audio Power Supplies Audio-Stromversorgungen 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) Features Besonderheiten UL recognized, File E175067 UL-anerkannt, Liste E175067 0.4 5.1 7.9 Low forward voltage drop Niedrige Fluss-Spannung 0.4 Slim Profile 2.5 mm Schlanke Bauhhe 2.5 mm 10.2 -0.1 8.3 Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) ~ ~ 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Type Typ Taped and reeled 1500 / 13 Gegurtet auf Rolle + -0.3 1.3 Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehusematerial Dimensions - Mae mm Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) Type Max. alternating input voltage Repetitive peak reverse voltage Typ Max. Eingangswechselspannung Periodische Spitzensperrspannung 3 4 V V ) V V ) VRMS RRM CS10S 10 20 CS20S 20 40 CS30S 30 60 CS40S 40 80 CS50S 50 100 5 Max. rectified output current R-load 1.0 A ) T = 50C I A FAV 5 Dauergrenzstrom am Brckenausgang C-load 0.8 A ) Repetitive peak forward current 5 f > 15 Hz I 10A ) FRM Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Half sine-wave 50 Hz (10 ms) 40 A IFSM Stostrom in Fluss-Richtung Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) 44 A Rating for fusing 2 2 t < 10 ms i t 8 A s Grenzlastintegral Operating junction temperature Sperrschichttemperatur T -50...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -50...+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben A A 3 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed V Evtl. berlagerte Spannungsspitzen drfen V nicht berschreiten RRM RRM 4 Valid per Diode Gltig pro Diode 2 5 Mounted on P.C. board with 25 mm copper pads at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 25 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss Diotec Semiconductor AG CS10S ... CS50S Characteristics Kennwerte Type Forward voltage Junction capacitance Typ Durchlass-Spannung Sperrschichtkapazitt V V I A T C pF V V F F j j R CS10S, CS20S < 0.50 1.0 25C typ. 30 4 CS30S < 0.70 1.0 25C typ. 30 4 CS40S, CS50S < 0.79 1.0 25C typ. 20 4 Leakage current T = 25C < 0.5 mA j V = V I R RRM R Sperrstrom Tj = 100C < 5.0 mA Thermal resistance junction to ambient (per device) 1 R < 60 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung (pro Bauteil) Thermal resistance junction to terminal (per device) 1 R < 22 K/W ) thT Wrmewiderstand Sperrschicht Anschluss (pro Bauteil) 2 120 10 % A 100 CS10...20 10 80 CS30 60 1 40 CS40...50 -1 10 20 I F I FAV T = 25C j -2 10 0 0 0.6 1.0 V 0.4 V 0 T 100 150 50 C F A 1 Forward characteristics (typical values) Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Durchlasskennlinien (typische Werte) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 2 1 Mounted on P.C. board with 25 mm copper pads at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 25 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2