S40F Diotec

W E E E S H S40F ... S380F S40F ... S380F I = 0.8 A V = 80 ... 800 V FAV RRM V < 1.2 V I = 40/44 A F1 FSM SMD Single Phase Bridge Rectifier Fast Recovery Tjmax = 150C trr < 300 ns SMD Einphasen-Brckengleichrichter schneller Sperrverzug Version 2018-07-18 Typical Application Typische Anwendung ~ TO-269AA Rectification of medium frequencies Gleichrichtung mittlerer Frequenzen MiniDIL SLIM Audio Power Supplies Audio-Stromversorgungen 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) Features Besonderheit + 0.2 2.54 5.1 UL recognized, File E175067 UL-anerkannt, Liste E175067 + 0 .3 6.5 Slim profile package Halogen Schlanke Bauhhe 0.1 4.7 Low reverse recovery time FREE Niedrige Sperrverzugszeit ~ ~ Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, 1 1 Pb Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Taped and reeled 5000 / 13 Gegurtet auf Rolle 0.7 Weight approx. 0.1 g Gewicht ca. + Case material UL 94V-0 Gehusematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen Dimensions - Mae mm MSL = 1 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) Type Maximum alternating input voltage Repetitive peak reverse voltage Typ Max. Eingangswechselspannung Periodische Spitzensperrspannung 3 4 VVRMS V ) VRRM V ) S40F 40 80 S80F 80 160 S125F 125 250 S250F 250 600 S380F 380 800 5 Max. rectified output current R-load 0.8 A ) T = 50C I A FAV 6 Dauergrenzstrom am Brckenausgang C-load 0.6 A ) Repetitive peak forward current 6 f > 15 Hz T = 50C I 10 A ) A FRM Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Half sine-wave 50 Hz (10 ms) 40 A I FSM Stostrom in Fluss-Richtung Sinus-Halbwelle 60 Hz (8.3 ms) 44 A Rating for fusing 2 2 t < 10 ms i t 8 A s Grenzlastintegral Operating junction temperature Sperrschichttemperatur T -50...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -50...+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben A A 3 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed V RRM Evtl. berlagerte Spannungsspitzen drfen VRRM nicht berschreiten 4 Valid per diode Gltig pro Diode 2 5 Mounted on P.C. Board with 25 mm copper pads at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 25 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 1 S40F ... S380F Characteristics Kennwerte 1 Forward voltage I = 0.4 A < 1.2 V ) F T = 25C V j F 1 Durchlass-Spannung IF = 0.8 A < 1.3 V ) Leakage current T = 25C V = V I < 5 A j R RRM R Sperrstrom Reverse recovery time I = 0.5 A through/ber F 1 t < 300 ns ) rr Sperrverzug I = 1 A to I = 0.25 A R R 1 Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazitt VR = 4 V Cj 10 pF ) Thermal resistance junction to ambient 2 R < 60 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung Thermal resistance junction to terminal R < 20 K/W thT Wrmewiderstand Sperrschicht Anschluss Type Recomm. protective resistance Admiss. load capacitor at R t 3) R t Typ Empf. Schutzwiderstand Zul. Ladekondensator mit Rt 3 4 R ) C F ) t L ~ S40F 2.0 2500 + S80F 4.0 1250 4) ~ S125F 6.25 800 C L S250F 15.0 333 S380F 20.0 250 2 120 10 % A 100 T = 125C j 10 80 T = 25C j 60 1 40 -1 10 20 I F I FAV 40a-(0.8a-1.2v) -2 10 0 0.4 V 0.8 1.0 1.2 1.4 V 1.8 0 T 50 100 150 C A F Rated forward current versus ambient temperature Forward characteristics (typical values) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet 1 Valid per diode Gltig pro Diode 2 2 Mounted on P.C. Board with 25 mm copper pads at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 25 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 3 R = V / I R is the equivalent resistance of any protective element which ensures that I is not exceeded t RRM FSM t FSM R ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein berschreiten von I verhindert t FSM 4 CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a single half wave of the mains. Hence, I occurs as a single pulse only FSM Falls die R C Zeitkonstante kleiner ist als der 50Hz-Netzperiode, kann C innerhalb einer einzigen t L L Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf 2