BPX 48 OSRAM

2014-01-10 Silicon Differential Photodiode Silizium-Differential-Fotodiode Version 1.1 BPX 48 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 400 nm to Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich von 1100 nm 400 nm bis 1100 nm High photosensitivity Hohe Fotoempfindlichkeit DIL plastic package with high packing density DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Double diode with extremely high Doppeldiode mit extrem hoher Gleichmigkeit homogeneousness Applications Anwendungen Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Edge control Kantenerkennung Follow-up control Nachlaufsteuerung Path and angle scanning Weg- bzw. Winkelabtastungen Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E = 1000 lx, Std. Light A, V = 5 V, T = 2856 K v R I A P BPX 48 24 ( 15) Q62702P0017S001 2014-01-10 1Version 1.1 BPX 48 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 80 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 10 V R Sperrspannung Total power dissipation P 50 mW tot Verlustleistung Characteristics (T = 25 C, per single diode / fr jede Einzeldiode) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent I 24 ( 15) A P Fotostrom (E = 1000 lx, Std. Light A, V = 5 V, T = 2856 K) v R Wavelength of max. sensitivity 900 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 400 ... 1150 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A1.54 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of radiant sensitive area L x W 0.7 x 2.2 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche Half angle 60 Halbwinkel Dark current I 10 ( 100) nA R Dunkelstrom (V = 10 V) R Spectral sensitivity of the chip S 0.55 A / W typ Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips ( = 850 nm) Max. deviation from average for each single diode S5 % Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit der Einzeldiode vom Mittelwert 2014-01-10 2