Q65110A6657 OSRAM

2013-09-20 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4253 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeit Applications Anwendungen Infrared Illumination for cameras Infrarotbeleuchtung fr Kameras IR data transmission IR Datenbertragung Sensor technology Sensorik Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile emit highly concentrated non visible infrared light hochkonzentrierte, nicht sichtbare which can be hazardous to the human eye. Products Infrarot-Strahlung, die gefhrlich fr das which incorporate these devices have to follow the menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC Bauteile enthalten, mssen gem den 62471. Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstrke Bestellnummer I = 70 mA, t = 20 ms F p I mW/sr e SFH 4253 13 ( 6.3) Q65110A6657 Note: Measured at a solid angle of = 0.01 sr Anm.: Gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr 2013-09-20 1Version 1.1 SFH 4253 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 5V R Sperrspannung Forward current I 70 mA F Durchlassstrom Surge current I 0.7 A FSM Stostrom (t = 100 s, D = 0) p Total power dissipation P 140 mW tot Verlustleistung 1) page 11 Thermal resistance junction - ambient R 500 K / W thJA Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 11 Thermal resistance junction - soldering point R 280 K / W thJS 2) page 11 2) Seite 11 Wmewiderstand Sperrschicht - Ltstelle Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength (typ) 860 nm peak Zentrale Emissionswellenlnge (I = 70 mA, t = 20 ms) F p Centroid Wavelength (typ) 850 nm centroid Schwerpunktwellenlnge der Strahlung (I = 70 mA, t = 20 ms) F p Spectral bandwidth at 50% of I (typ) 30 nm max Spektrale Bandbreite bei 50% von I max (I = 70 mA, t = 20 ms) F p Half angle (typ) 60 Halbwinkel 2 Active chip area (typ) A 0.04 mm Aktive Chipflche 2013-09-20 2