Q65111A0541 OSRAM

2012-12-18 High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4046 Features: Besondere Merkmale: Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1 Sehr kleines Gehuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x mm 1 mm High optical total power Sehr hohe Gesamtleistung Applications Anwendungen Industrial applications Industrie Anwendungen Miniature photointerrupters Miniaturlichtschranken Mobile devices Mobile Gerte Proximity sensor Nherungssensor For control and drive circuits Messen/Steuern/Regeln Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile emit highly concentrated non visible infrared light hochkonzentrierte, nicht sichtbare which can be hazardous to the human eye. Products Infrarot-Strahlung, die gefhrlich fr das which incorporate these devices have to follow the menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC Bauteile enthalten, mssen gem den 62471. Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2012-12-18 1Version 1.0 SFH 4046 Ordering Information Bestellinformation Type: Irradiance Radiant intensity Ordering Code Typ: Bestrahlungsstrke Strahlstrke Bestellnummer I = 70 mA, t = 20 ms I =70 mA, t =20 ms F p F p 2 E mW/cm I mW/sr e e, typ SFH 4046 5 ( 2.5) 30 Q65111A0541 Note: I measured with a detector (10mm diameter) in 100 mm distance ( = 0.01 sr) to the device surface e E measured in the near field with a detector (7.2 mm diameter) in 20 mm distance ( = 0.1 sr) to the device e surface Anm.: I gemessen mit einem Detektor (10 mm Durchmesser) in einem Abstand von 100mm ( = 0.01 sr) zur e Bauteiloberflche E gemessen im Nahfeld mit einem Detektor (7.2 mm Durchmesser) in einem Abstand von 20 mm ( = 0.1 e sr) zur Bauteiloberflche Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T T -40 ... 85 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 5V R Sperrspannung Forward current I 70 mA F Durchlassstrom Surge current I 0.7 A FSM Stostrom (t 300 s, D = 0) p Total power dissipation P 140 mW tot Verlustleistung 1) page 13 Thermal resistance junction - ambient R 540 K / W thJA Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 13 Thermal resistance junction - soldering point R 360 K / W thJS 2) page 13 2) Seite 13 Wmewiderstand Sperrschicht - Ltstelle Electrostatic discharge (HBM) ESD 2 kV Elektrostatische Entladung (HBM) 2012-12-18 2