SFH 4860 OSRAM

2014-01-16 GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 4860 Features: Besondere Merkmale: Fabricated in a liquid phase epitaxy process Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Cathode is electrically connected to the case Kathode galvanisch mit dem Gehuseboden verbunden High reliability Hohe Zuverlssigkeit Matches all Si-Photodetectors Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfnger Hermetically sealed package Hermetisch dichtes Metallgehuse Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken IR remote control IR-Gertefernsteuerung Sensor technology Sensorik Light curtains Lichtgitter Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile emit highly concentrated non visible infrared light hochkonzentrierte, nicht sichtbare which can be hazardous to the human eye. Products Infrarot-Strahlung, die gefhrlich fr das which incorporate these devices have to follow the menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC Bauteile enthalten, mssen gem den 62471. Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2014-01-16 1Version 1.1 SFH 4860 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstrke Bestellnummer I = 50 mA, t = 20 ms F p I mW/sr e SFH 4860 1.3 ( 0.63) Q62702P5053 Note: 18 A3 DIN 870 (TO-18), flat glass cap, lead spacing 2.54 mm (1/10) anode making: projection at package bottom Anm.: 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, Plankappe, Anschlsse im 2.54-mm-Raster (1/10) Anodenkennzeichnung: Nase am Gehuseboden Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Junction temperature T 125 C j Sperrschichttemperatur Reverse voltage V 3V R Sperrspannung Forward current I 50 mA F Durchlassstrom Surge current I 1A FSM Stostrom (t 10 s, D = 0) p Total power dissipation P 140 mW tot Verlustleistung Thermal resistance junction - ambient R 450 K / W thJA Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung Thermal resistance junction - case R 160 K / W thJC Wrmewiderstand Sperrschicht - Gehuse ESD withstand voltage V 2kV ESD ESD Festigkeit 2014-01-16 2