1N4934 Taiwan Semiconductor

W E E E S H 1N4933 ... 1N4937 I = 1 A V = 50...600 V 1N4933 ... 1N4937 FAV RRM V < 1.2 V I = 30/33 A F FSM Fast Recovery Rectifier Diodes Tjmax = 150C trr < 200 ns Gleichrichterdioden mit schnellem Sperrverzug Version 2015-11-03 Typical Application Typische Anwendung ~DO-41 / ~DO-204AC Rectification of medium frequencies, Gleichrichtung mittlerer Frequenzen Snubber or Bootstrap diodes Beschaltungs- oder Bootstrapdioden 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) 0.1 Features Besonderheit 2.6 Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Taped in ammo pack 5000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. 0.07 Case material UL 94V-0 Gehusematerial 0.77 Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL: N/A Dimensions - Mae mm 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage Typ Periodische Spitzensperrspannung Stospitzensperrspannung VRRM V VRSM V 1N4933 50 50 1N4934 100 100 1N4935 200 200 1N4936 400 400 1N4937 600 600 3 Max. average forward rectified current, R-load T = 75C I 1 A ) A FAV Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last 3 Repetitive peak forward current f > 15 Hz I 10 A ) FRM Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave T = 25C I 30/33 A A FSM Stostrom fr eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle 2 2 Rating for fusing Grenzlastintegral, t < 10 ms T = 25C i t 4.5 A s A Junction temperature Sperrschichttemperatur T -50...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur TS -50...+175C 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben j j 3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gltig, wenn die Anschlussdrhte in 10 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Diotec Semiconductor AG 1N4933 ... 1N4937 Characteristics Kennwerte Forward voltage T = 25C I = 1 A V < 1.2 V j F F Durchlass-Spannung Leakage current T = 25C V = V I < 5 A j R RRM R Sperrstrom T = 100C V = V I < 100 A j R RRM R Typical junction capacitance V = 4 V C 15 pF R j Typische Sperrschichtkapzitt Reverse recovery time IF = 0.5 A through/ber trr < 200 ns Sperrverzugszeit I = 1 A to/auf I = 0.25 A R R 1 Thermal resistance junction to ambient air R < 45 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft Thermal resistance junction to leads R < 15 K/W thL Wrmewiderstand Sperrschicht Anschlussdraht 2 120 10 % A 100 T = 125C j 10 80 T = 25C j 1 60 40 -1 10 20 I F I FAV 30a-(1a-1.2v) -2 10 0 0.4 1.0 1.4 0 T 100 150 V 0.8 1.2 V 1.8 50 C F A 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Forward characteristics (typical values) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Durchlasskennlinien (typische Werte) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gltig, wenn die Anschlussdrhte in 10 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2