W E E E S H BAS16, BAW56, BAV70 BAS16, BAW56, BAV70 I = 215 mA V = 85, 100 V FAV RRM V < 715 mV I = 2 A F1 FSM SMD Small Signal Diodes Tjmax = 150C trr1 < 4 ns SMD Kleinsignal-Dioden Version 2021-12-20 SOT-23 Typical Applications Typische Anwendungen (TO-236) Signal processing, (High-speed) Signalverarbeitung, (Schnelles) Switching, Rectifying Schalten, Gleichrichten 3 Commercial / Industrial grade Standardausfhrung 1 1 Suffix -Q: AEC-Q101 compliant ) Suffix -Q: AEC-Q101 konform ) 1 1 Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification ) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation ) 1 Features Besonderheiten BAS16, BAW56, BAV70: BAS16, BAW56, BAV70: 2 Very high switching speed Sehr schnelles Schalten Compliant to RoHS (w/o exemp.), Konform zu RoHS (ohne Ausn.), 1 1 Pb REACH, Conflict Minerals ) REACH, Konfliktmineralien ) 1 1 1 SPICE Model & STEP File ) Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Taped and reeled 3000 / 7 Gegurtet auf Rolle See below Siehe unten Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehusematerial HS Code 85411000 Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAS16/-AQ BAV70/-Q/-AQ Type Type Single Common Code Code Diode Cathode 5D A4 BAW56/-Q Type Common Code Anode A1 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) 3 Power dissipation (per device) Verlustleistung (pro Bauteil) P 350 mW ) tot 3 Maximum average forward current single diode loaded eine Diode belastet 215 mA ) I FAV 3 Dauergrenzstrom both diodes loaded beide Dioden belastet 125 mA ) 3 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom I 300 mA ) FRM Non repetitive peak forward surge current t 1 s 0.5 A p Stostrom-Grenzwert t 1 ms I 1 A p FSM t 1 s 2 A p Repetitive peak reverse voltage BAS16/-AQ, BAW56/-Q 85 V V RRM Periodische Spitzensperrspannung BAV70/-Q 100 V Reverse voltage Sperrspannung DC V 75 V R Junction/Storage temperature Sperrschicht-/Lagerungstemperatur T -55...+150C j/S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C and per diode, unless otherwise specified T = 25C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben A A 2 2 3 Mounted on 3 mm copper pads per terminal Montage auf 3 mm Kupferbelag (Ltpads) je Anschluss Diotec Semiconductor AG BAS16, BAW56, BAV70 Characteristics Kennwerte BAS16/-AQ BAV70/-Q/-AQ BAW56/-Q Forward voltage 1 mA < 715 mV < 715 mV Durchlass-Spannung 10 mA < 855 mV < 855 mV T = 25C I = V j F F 1 ) 50 mA < 1.0 V < 1.0 V 150 mA < 1.25 V < 1.25 V Leakage current 20 V < 25 nA Tj = 25C Sperrstrom V = 25 V I < 30 nA R R 1 ) 75 V < 1.0 A < 2.5 A 25 V < 30 A < 30 A T = 150C V = I j R R 75 V < 50 A < 50 A Junction capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz CT < 2 pF < 2 pF Sperrschichtkapazitt Reverse recovery time I = 10 mA ber/through F t < 4 ns < 4 ns rr Sperrverzug IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Typical thermal resistance junction to ambient 2 R 357 K/W ) thA Typischer Wrmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Dimensions - Mae mm 1 120 % A 100 -1 10 80 T = 125C j -2 10 60 40 T = 25C j -3 10 20 I F P tot -4 10 0 0 V 0.4 0.6 0.8 1.0 V 1.4 0 T 100 150 F 50 C A 2 Forward characteristics (typical values) Power dissipation versus ambient temperature ) 2 Durchlasskennlinien (typische Werte) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses t = 300 s, duty cycle 2% p Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis 2% 2 2 Mounted on 3 mm copper pads per terminal 2 Montage auf 3 mm Kupferbelag (Ltpads) je Anschluss 2