BAS16DW, BAV70DW, BAV756DW, MMBD4448SDW BAS16DW, BAV70DW, BAV756DW, MMBD4448SDW I = 150 mA V = 75 V FAV RRM V < 0.715 V I = 2 A F1 FSM1 SMD Small Signal Diode Arrays Tjmax = 150C trr < 4 ns SMD Kleinsignal-Dioden-Arrays Version 2021-11-15 SOT-363 Typical Applications Typische Anwendungen Signal processing Signalverarbeitung 6 5 High-speed Switching Schnelles Schalten 4 Rectifying Gleichrichten Commercial / industrial grade Standardausfhrung 1 1 Suffix -Q: AEC-Q101 compliant ) Suffix -Q: AEC-Q101 konform ) 1 1 1 2 Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification ) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation ) 3 Features Besonderheiten Very low t , C and I Sehr niedriges t , C und I rr j R rr j R Compliant to RoHS , Konform zu RoHS, REACH, 1 1 REACH, Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) 1 SPICE Model & STEP File ) Taped and reeled 3000 / 7 Gegurtet auf Rolle Marking Code Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. See below XX Siehe unten XX Case material UL 94V-0 Gehusematerial HS Code 85411000 Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 1 = A1 1 = A1 BAS16DW/-AQ BAV70DW 2 = A2 2 = A2 KA A4 3 = A3 3 = C3/C4 4 = C3 4 = A3 3 Single 2x Common 5 = C2 5 = A4 Diodes Cathode 6 = C1 6 = C1/C2 1 = A1 1 = A1 BAV756DW MMBD4448SDW 2 = C2 2 = C2 B7 KB 3 = A2/A3 3 = A4/C3 4 = C3 4 = A3 2x Common 4 in Bridge 5 = A4 5 = C4 Cathode/Anode Configuration 6 = C1/C4 6 = A1/C2 1 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) 2 Power dissipation (per device) Verlustleistung (pro Bauteil) P 200 mW ) tot 3 Maximum average forward current Dauergrenzstrom I 150 mA ) FAV 3 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA ) Peak forward surge current t 1 s 0.5 A p I FSM Stostrom in Fluss-Richtung t 1 s 2 A p Repetitive peak reverse voltage MMBD4448SDW, BAS16DW/-AQ 75 V Periodische Spitzensperrspannung BAV756DW V 90 V RRM BAV70DW 100 V Junction temperature Sperrschichttemperatur T j -55+150C Storage temperature Lagerungstemperatur T S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 1 T = 25C and per diode, unless otherwise specified T = 25C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben A A 2 2 2 Mounted on 3 mm copper pads per terminal Montage auf 3 mm Kupferbelag (Ltpads) je Anschluss Diotec Semiconductor AG BAS16DW, BAV70DW, BAV756DW, MMBD4448SDW Characteristics Kennwerte BAS16DW/ BAV70DW MMBD4448SDW -AQ BAV756DW Forward voltage 1 mA < 715 mV < 715 mV Durchlass-Spannung 5 mA 620 ... 720 mV 1 ) 10 mA < 855 mV < 855 mV < 855 mV T = 25C I = V j F F 50 mA < 1.0 V < 1.0 V 100 mA < 1.0 V 150 mA < 1.25 V < 1.25 V < 1.25 V Leakage current 20 V < 30 nA < 25 nA Sperrstrom 25 V < 30 nA T = 25C V = I j R R 1 ) 75 V < 1.0 A 80 V < 0.5 A < 100 nA 25 V < 30 A < 30 A T = 150C V = 75 V I < 50 A < 30 A < 50 A j R R 80 V < 100 A Junction capacitance 2 V = 0 V, f = 1 MHz C typ. 2 pF ) R T Sperrschichtkapazitt Reverse recovery time I = 10 mA ber/through F 2 t < 4 ns ) rr Sperrverzug I = 10 mA bis/to I = 1 mA R R Thermal resistance junction to ambient 3 R < 400 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung Dimensions - Mae mm 1 120 % A 100 -1 10 80 T = 125C j -2 60 10 40 T = 25C j -3 10 20 I F P Disclaimer: tot -4 See data book page 2 or website 10 0 0 V 0.4 0.6 0.8 1.0 V 1.4 0 T 50 100 150 C Haftungssauschluss: A F 3 Forward characteristics (typical values) Power dissipation versus ambient temperature ) Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 3 Durchlasskennlinien (typische Werte) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) 1 Tested with pulses t = 300 s, duty cycle 2% p Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis 2% 2 Valid per diode Gltig pro Diode 2 2 3 Mounted on 3 mm copper pads per terminal Montage auf 3 mm Kupferbelag (Ltpads) je Anschluss 2