DA814A Diotec

DA811A/K ... DA8110A/K (1.2 W) DA811A/K ... DA8110A/K (1.2 W) Rectifier Arrays Gleichrichterstze Version 2011-07-08 Nominal power dissipation 1.2 W Nenn-Verlustleistung 0.2 2.6 Repetitive peak reverse voltage 100...1000 V Periodische Spitzensperrspannung Type / Typ 9-pin Plastic case 23 x 2.6 x 4.5 mm 9-Pin Kunststoffgehuse 0.25 Weight approx. Gewicht ca. 0.6 g 8 x 2.54 Standard packaging bulk Dimensions - Mae mm Standard Lieferform lose im Karton 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 2 3 4 5 6 7 8 9 DA811K...DA8110K DA811A...DA8110A common cathodes / gemeinsame Kathoden common anodes / gemeinsame Anoden Maximum ratings Grenzwerte Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage Typ Periodische Spitzensperrspannung Stospitzensperrspannung 1 1) V V ) V V RRM RSM DA811A/K 100 120 DA814A/K 400 480 DA8110A/K 1000 1200 1 Max. power dissipation max. Verlustleistung T = 25C P 1.2 W ) A tot Max. average forward rectified current, R-load T = 25C A 2 for one diode operation only I 600 mA ) FAV 2 for simultaneous operation I 150 mA ) FAV Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last T = 25C A 2 fr eine einzelne Diode I 600 mA ) FAV 2 bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden I 150 mA ) FAV Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T = 25C I 30 A A FSM Stostrom fr eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Junction temperature Sperrschichttemperatur T -50...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T 50...+150C S 1 Per diode Pro Diode 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gltig, wenn die Anschlussdrhte in 3 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Diotec Semiconductor AG DA811A/K ... DA8110A/K (1.2 W) Characteristics Kennwerte 1 Forward voltage T = 25C I = 1 A V < 1.1 V ) j F F Durchlass-Spannung Leakage current T = 25C V = V I < 10 A j R RRM R Sperrstrom T = 100C V = V I < 90 A j R RRM R 2 Thermal resistance junction to case R < 85 K/W ) thC Wrmewiderstand Sperrschicht Gehuse 2 120 10 % A 100 T = 125C j 10 80 T = 25C j 1 60 40 -1 10 20 I F I FAV 30a-(1a-1.1v) -2 10 0 0.4 V 0.8 1.0 1.2 1.4 V 1.8 0 T 50 100 150 C F A 1 Forward characteristics (typical values) Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Durchlasskennlinien (typische Werte) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 Per diode Pro Diode 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gltig, wenn die Anschlussdrhte in 3 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2