US2G Diotec

W E E E S H US2A ... US2M US2A ... US2M I = 2 A V = 50...1000 V FAV RRM V < 1.0 V I = 50 A F1 FSM Ultrafast Recovery SMD Rectifier Diodes Tjmax = 150C trr < 50...75 ns SMD-Gleichrichterdioden mit ultraschnellem Sperrverzug Version 2015-10-26 Typical Applications Typische Anwendungen ~ SMB / ~ DO-214AA Rectification of higher frequencies, Gleichrichtung hoher Frequenzen, 0.5 High speed switching Schnelles Schalten 5.4 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) Features Besonderheiten V up to 1000 V V bis zu 1000 V RRM RRM 1.1 0.15 Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Type Typ Taped and reeled 3000 / 13 Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.1 g Gewicht ca. 0.5 4.6 Case material UL 94V-0 Gehusematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen Dimensions - Mae mm MSL = 1 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage Typ Periodische Spitzensperrspannung Stospitzensperrspannung V V V V RRM RSM US2A 50 50 US2B 100 100 US2D 200 200 US2G 400 400 US2J 600 600 US2K 800 800 US2M 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load TT = 100C IFAV 2 A Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last 3 Repetitive peak forward current f > 15 Hz I 10 A ) FRM Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T = 25C I 50 A A FSM Stostrom fr eine 50 Hz Sinus-Halbwelle 2 2 Rating for fusing, t < 10 ms T = 25C i t 12.5 A s A Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature Sperrschichttemperatur T -50...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -50...+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben j j 3 Max. temperature of the terminals TT = 100C Max. Temperatur der Anschlsse TT = 100C Diotec Semiconductor AG US2A ... US2M Characteristics Kennwerte Type Reverse recovery time Forward voltage Typ Sperrverzugszeit Durchlass-Spannung 1 t ns ) V V at / bei I A rr F F US2A...US2D < 50 < 1.0 2 US2G < 50 < 1.25 2 US2J...US2M < 75 < 1.7 2 Leakage current T = 25C V = V I < 5 A j R RRM R Sperrstrom Tj = 100C VR = VRRM IR < 200 A Typical junction capacitance V = 4 V C 15 pF R j Typische Sperrschichtkapzitt 2 Thermal resistance junction to ambient air R < 50 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal RthL < 15 K/W Wrmewiderstand Sperrschicht Anschluss 10 120 % A 100 US2A...D 1 US2G 80 US2J...M 60 0.1 40 -2 10 20 I F I FAV T = 25C j -3 10 0 V V 0 T 50 100 150 C T F Forward characteristics (typical values) Rated forward current vs. temp. of the terminals Durchlasskennlinien (typische Werte) Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 I = 0.5 A through/ber I = 1 A to/auf I = 0.25 A F R R 2 2 Mounted on P.C. board with 50 mm copper pads at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 50 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2