2010-11-29 GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlssigkeit UL version available UL Version erhltlich Spectral match with silicon photodetectors Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfnger Available on tape and reel (in Ammopack) Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) Available in bins Gruppiert lieferbar Same package as LD 274 Gehusegleich mit LD 274 Applications Anwendungen IR remote control IR-Gertefernsteuerung Sensor technology Sensorik Discrete interrupters Diskrete Lichtschranken Smoke detectors Rauchmelder Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile emit highly concentrated non visible infrared light hochkonzentrierte, nicht sichtbare which can be hazardous to the human eye. Products Infrarot-Strahlung, die gefhrlich fr das which incorporate these devices have to follow the menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC Bauteile enthalten, mssen gem den 62471. Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2010-11-29 1Version 1.0 SFH 484 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstrke Bestellnummer I = 100 mA, t = 20 ms F p I mW/sr e SFH 484 100 ( 50) Q62703Q1092 SFH 484-2 80 Q62703Q1756 SFH 484-E9548 (UL) Q65110A1434 SFH 484-E7517 (UL) Q62703Q2392 Note: 5 mm LED package (T 1 3/4), violet-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10), anode marking: short lead Anm.: 5-mm-LED-Gehuse (T 1 3/4), klares violettes Epoxy-Gieharz, Anschlsse im 2.54-mm-Raster (1/10), Anodenkennzeichung: krzerer Anschlu Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 5V R Sperrspannung Forward current I 100 mA F Durchlassstrom Surge current I 2.5 A FSM Stostrom (t 10 s, D = 0) p Power consumption P 200 mW tot Leistungsaufnahme ESD withstand voltage V 2kV ESD ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM) 1) page 12 Thermal resistance junction - ambient R 375 K / W thJA Wrmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 12 2010-11-29 2