W E E E S H BC327 ... BC328 BC327 ... BC328 I = -800 mA V = -25 ... -45 V C CEO h ~ 160/250/400 P = 625 mW FE tot General Purpose PNP Transistors Tjmax = 150C Universal-PNP-Transistoren Version 2018-02-02 Typical Applications Typische Anwendungen TO-92 (10D3) Signal processing, Signalverarbeitung, (1) Switching, Amplification Schalten, Verstrken 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) C B E Features Besonderheiten General Purpose Universell anwendbar Three current gain groups Drei Stromverstrkungsklassen Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 2 x 2.54 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) (1) Taped in ammo pack 4000 (1) Gegurtet in Ammo-Pack 0.1 4.6 (Raster 2.54) (Raster 2.54) (2) (2) On request: in bulk 5000 (2) Auf Anfrage: Schttgut (Raster 1.27, suffix BK) (Raster 1.27, Suffix BK) Weight approx. 0.18 g Gewicht ca. C B E Case material UL 94V-0 Gehusematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen 2 x 1.27 MSL N/A Dimensions - Mae mm Current gain groups Recommended complementary NPN transistors Stromverstrkungsgruppen Empfohlene komplementre NPN-Transistoren BC327-16 BC328-16 BC327-25 BC328-25 BC337 ... BC338 BC327-40 BC328-40 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) BC327 BC328 Collector-Emitter-volt. Kollektor-Emitter-Spannung E-B short - VCES 50 V 30 V Collector-Emitter-volt. Kollektor-Emitter-Spannung B open - V 45 V 25 V CEO Emitter-Base-voltage Emitter-Basis-Spannung C open - V 5 V EBO 3 Power dissipation Verlustleistung P 625 mW ) tot Collector current Kollektorstrom DC - I 800 mA C Peak Collector current Kollektor-Spitzenstrom - ICM 1 A Base current Basisstrom - I 100 mA B Junction temperature Sperrschichttemperatur T -55...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -55+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C, unless otherwise specified T = 25C, wenn nicht anders angegeben A A 3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gltig wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Diotec Semiconductor AG BC327 ... BC328 Characteristics Kennwerte T = 25C Min. Typ. Max. j 1 DC current gain Kollektor-Basis-Stromverhltnis ) - V = 1 V - I = 100 mA Group -16 100 160 250 CE C Group -25 h 160 250 400 FE Group -40 250 400 630 - I = 300 mA Group -16 60 130 C Group -25 h 100 200 FE Group -40 170 320 1 Collector-Emitter saturation voltage Kollektor-Emitter-Sttigungsspg. ) - I = 500 mA - I = 50 mA - V 0.7 V C B CEsat 1 Base-Emitter-voltage Basis-Emitter-Spannung ) - V = 1 V - I = 300 mA - V 1.2 V CE C BE Collector-Emitter cutoff current Kollektor-Emitter-Reststrom - V = 45 V BC327 CE B-E short - ICES 2 nA 100 nA - V = 25 V BC328 CE - V = 45 V BC327 CE B-E short T = 125C - I 10 A j CES - VCE = 25 V BC328 Gain-Bandwidth Product Transitfrequenz - V = 5 V, - I = 10 mA, f = 50 MHz f 100 MHz CE C T Collector-Base Capacitance Kollektor-Basis-Kapazitt - V = 10 V, I =i = 0, f = 1 MHz C 12 pF CB E e CBO Thermal resistance junction to ambient 2 R < 200 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses t = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen t = 300 s, Schaltverhltnis 2% p p 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gltig wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2