W E E E S H BC337 ... BC338 BC337 ... BC338 I = 800 mA V = 25...45 V C CEO h = 160/250/400 P = 625 mW FE tot General Purpose NPN Transistors Tjmax = 150C Universal-NPN-Transistoren Version 2017-02-09 Typical Applications Typische Anwendungen TO-92 (10D3) Signal processing, Signalverarbeitung, (1) Switching, Amplification Schalten, Verstrken 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) C B E Features Besonderheiten General Purpose Universell anwendbar Three current gain groups Drei Stromverstrkungsklassen Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, 1 1 Pb Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 2 x 2.54 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) (1) Taped in ammo pack 4000 (1) Gegurtet in Ammo-Pack 0.1 4.6 (Raster 2.54) (Raster 2.54) (2) (2) On request: in bulk 5000 (2) Auf Anfrage: Schttgut (Raster 1.27, suffix BK) (Raster 1.27, Suffix BK) Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. C B E Case material UL 94V-0 Gehusematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen 2 x 1.27 MSL N/A Dimensions - Mae mm Current gain groups Recommended complementary PNP transistors Stromverstrkungsgruppen Empfohlene komplementre PNP-Transistoren BC337-16 BC338-16 BC337-25 BC338-25 BC327 ... BC328 BC337-40 BC338-40 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) BC337 BC338 Collector-Emitter-volt. Kollektor-Emitter-Spannung E-B short V 50 V 30 V CES Collector-Emitter-volt. Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V 25 V Emitter-Base-voltage Emitter-Basis-Spannung C open V 5 V EBO 3 Power dissipation Verlustleistung P 625 mW ) tot Collector current Kollektorstrom (dc) I 800 mA C Peak Collector current Kollektor-Spitzenstrom I 1 A CM Base current Basisstrom IB 100 mA Junction temperature Sperrschichttemperatur T -55...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -55+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 TA = 25C, unless otherwise specified TA = 25C, wenn nicht anders angegeben 3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gltig wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Diotec Semiconductor AG BC337 ... BC338 Characteristics Kennwerte T = 25C Min. Typ. Max. j DC current gain Kollektor-Basis-Stromverhltnis Group -16 100 160 250 V = 1 V, I = 100 mA Group -25 h 160 250 400 CE C FE Group -40 250 400 630 Group -16 60 130 V = 1 V, I = 300 mA Group -25 h 100 200 CE C FE Group -40 170 320 1 Collector-Emitter saturation voltage Kollektor-Sttigungsspannung ) I = 500 mA, I = 50 mA V 0.7 V C B CEsat 1 Base-Emitter-voltage Basis-Emitter-Spannung ) V = 1 V, I = 300 mA, V 1.2 V CE C BE Collector-Emitter cutoff current Kollektor-Emitter-Reststrom V = 45 V BC337 2 nA 100 nA CE B-E short ICES V = 25 V BC338 2 nA 100 nA CE V = 45 V BC337 10 A CE T = 125C B-E short I j CES VCE = 25 V BC338 10 A Gain-Bandwidth Product Transitfrequenz V = 5 V, I = 10 mA, f = 50 MHz f 100 MHz CE C T Collector-Base Capacitance Kollektor-Basis-Kapazitt V = 10 V, I =i = 0, f = 1 MHz C 12 pF CB E e CBO Thermal resistance junction to ambient 2 R < 200 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung 120 % 100 80 60 40 20 P tot 0 0 T 50 100 150 C A 1 Power dissipation versus ambient temperature ) 1 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses t = 300 s, duty cycle 2% p Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis 2% 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gltig wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2