W E E E S H BC546 ... BC549 BC546 ... BC549 I = 100 mA V = 30...65 V C CEO h ~ 110/200/420 P = 500 mW FE tot General Purpose NPN Transistors Tjmax = 150C Universal-NPN-Transistoren Version 2018-02-01 Typical Applications Typische Anwendungen TO-92 (10D3) Signal processing, Signalverarbeitung, (1) Switching, Amplification Schalten, Verstrken 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) C B E Features Besonderheiten General Purpose Universell anwendbar Three current gain groups Drei Stromverstrkungsklassen Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, 1 1 Pb Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 2 x 2.54 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) (1) Taped in ammo pack 4000 (1) Gegurtet in Ammo-Pack 0.1 4.6 (Raster 2.54) (Raster 2.54) (2) (2) On request: in bulk 5000 (2) Auf Anfrage: Schttgut (Raster 1.27, suffix BK) (Raster 1.27, Suffix BK) Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. C B E Case material UL 94V-0 Gehusematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen 2 x 1.27 MSL N/A Dimensions - Mae mm Current gain groups Recommended complementary PNP transistors Stromverstrkungsgruppen Empfohlene komplementre PNP-Transistoren BC546A BC546B BC546C BC547A BC547B BC547C BC556 ... BC559 BC548A BC548B BC548C BC549A BC549B BC549C 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) BC546 BC547 BC548/549 Collector-Emitter-voltage Kollektor-Emitter-Spannung E-B short V 80 V 50 V 30 V CES Collector-Emitter-voltage Kollektor-Emitter-Spannung B open V 65 V 45 V 30 V CEO Emitter-Base-voltage Emitter-Basis-Spannung C open V 80 V 50 V 30 V EBO Emitter-Base-voltage C open V 5 V EBO 3 Power dissipation Verlustleistung Ptot 500 mW ) Collector current Kollektorstrom DC I 100 mA C Peak Collector current Kollektor-Spitzenstrom I 200 mA CM Peak Base current Basis-Spitzenstrom I 200 mA BM Peak Emitter current Emitter-Spitzenstrom - I 200 mA EM Junction temperature Sperrschichttemperatur Tj -55...+150C Storage temperature Lagerungstemperatur T -55+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 TA = 25C, unless otherwise specified TA = 25C, wenn nicht anders angegeben 3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gltig wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Diotec Semiconductor AG BC546 ... BC549 Characteristics Kennwerte Tj = 25C Min. Typ. Max. 1 DC current gain Kollektor-Basis-Stromverhltnis ) V = 5 V I = 10 A Group A 90 CE C Group B hFE 150 Group C 270 I = 2 mA Group A 110 220 C Group B h 200 450 FE Group C 420 800 IC = 100 mA Group A 120 Group B h 200 FE Group C 400 Collector-Emitter cutoff current Kollektor-Emitter-Reststrom 80 V BC546 V = 50 V B-E short BC547 I 0.2 nA 15 nA CE CES 30 V BC548 / BC549 80 V BC546 B-E short V = 50 V BC547 I 4 A CE CES T = 125C j 30 V BC548 / BC549 1 Collector-Emitter saturation voltage Kollektor-Emitter-Sttigungsspg. ) I = 10 mA I = 0.5 mA 80 mV 250 mV C B V CEsat I = 100 mA I = 5 mA 200 mV 600 mV C B 1 Base-Emitter saturation voltage Basis-Emitter-Sttigungsspannung ) I = 10 mA I = 0.5 mA 700 mV C B VBEsat I = 100 mA I = 5 mA 900 mV C B 1 Base-Emitter-voltage Basis-Emitter-Spannung ) V = 5 V I = 2 mA 580 mV 660 mV 700 mV CE C VBE V = 5 V I = 10 mA 770 mV CE C Gain-Bandwidth Product Transitfrequenz V = 5 V, I = 10 mA, f = 100 MHz f 300 MHz CE C T Collector-Base Capacitance Kollektor-Basis-Kapazitt V = 10 V, I =i = 0, f = 1 MHz C 3.5 pF 6 pF CB E e CBO Emitter-Base Capacitance Emitter-Basis-Kapazitt V = 0.5 V, I = i = 0, f = 1 MHz C 9 pF EB C c EBO Noise figure Rauschzahl V = 5 V, I = 200 A, R = 2 k 2 dB 10 dB CE C G F f = 1 kHz, f = 200 Hz 1.2 dB 4 dB Thermal resistance junction to ambient 2 R < 200 K/W ) thA Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis 2% 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gltig wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2