W E E E S H BC846W ... BC849W BC846W ... BC849W I = 100 mA V = 30...65 V C CEO h ~ 180/290/520 P = 200 mW FE tot SMD General Purpose NPN Transistors Tjmax = 150C SMD Universal-NPN-Transistoren Version 2019-01-11 Typical Applications Typische Anwendungen Signal processing, Signalverarbeitung, SOT-323 Switching, Amplification Schalten, Verstrken Commercial grade Standardausfhrung 1 1 Suffix -Q: AEC-Q101 compliant ) Suffix -Q: AEC-Q101 konform ) 1 1 Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification ) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation ) 0.1 0.1 2 1 0.3 Features Besonderheiten 3 General Purpose Universell anwendbar Type Three current gain groups Drei Stromverstrkungsklassen Code Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb 1 1 1 2 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien 1 1 1.3 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Taped and reeled 3000 / 7 Gegurtet auf Rolle 1 = B 2 = E 3 = C Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehusematerial Dimensions - Mae mm Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Recommended complementary PNP transistors Code Empfohlene komplementre PNP-Transistoren BC846AW 1A BC846BW/-AQ 1B BC847AW/-Q 1E BC847BW/-Q 1F BC847CW/-Q 1G BC856W ... BC859W BC848AW 1J BC848BW 1K BC848CW 1L BC849BW 2B BC849CW 2C 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) BC846W/ BC847W/ BC848W -AQ -Q BC849W Collector-Emitter-voltage Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V 30 V Collector-Base-voltage Kollektor-Basis-Spannung E open V 80 V 50 V 30 V CBO Emitter-Base-voltage Emitter-Basis-Spannung C open V 6 V 5 V EBO 3 Power dissipation Verlustleistung P 200 mW ) tot Collector current Kollektorstrom DC I 100 mA C Peak Collector current Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA Peak Base current Basis-Spitzenstrom I 200 mA BM Peak Emitter current Emitter-Spitzenstrom - I 200 mA EM Junction temperature Sperrschichttemperatur T -55...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur T -55+150C S 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 TA = 25C unless otherwise specified TA = 25C wenn nicht anders angegeben 2 3 Mounted on P.C. board with 3 mm copper pad at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss Diotec Semiconductor AG BC846W ... BC849W Characteristics Kennwerte T = 25C Min. Typ. Max. j DC current gain Kollektor-Basis-Stromverhltnis Group A 90 V = 5 V I = 10 A Group B 150 CE C Group C 270 h FE Group A 110 180 220 I = 2 mA Group B 200 290 450 C Group C 420 520 800 1 Collector-Emitter saturation voltage Kollektor-Sttigungsspannung ) I = 10 mA I = 0.5 mA 90 mV 250 mV C B V CEsat I = 5 mA 200 mV 600 mV B 1 Base-Emitter saturation voltage Basis-Sttigungsspannung ) IC = 10 mA IB = 0.5 mA 700 mV V BEsat I = 5 mA 900 mV B 1 Base-Emitter-voltage Basis-Emitter-Spannung ) V = 5 V I = 2 mA 580 mV 660 mV 700 mV CE C V BE I = 10 mA 820 mV C Collector-Base cutoff current Kollektor-Basis-Reststrom V = 30 V E open 15 nA CB I CBO E open T = 125C 5 A j Emitter-Base cutoff current V = 5 V C open I 100 nA EB EBO Gain-Bandwidth Product Transitfrequenz V = 5 V, I = 10 mA, f = 100 MHz f 100 MHz CE C T Collector-Base Capacitance Kollektor-Basis-Kapazitt V = 10 V, I =i = 0, f = 1 MHz C 3.5 pF 6 pF CB E e CBO Emitter-Base Capacitance Emitter-Basis-Kapazitt VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz CEBO 9 pF Noise figure Rauschzahl VCE = 5 V, IC = 200 A, RG = 2 k BC846W ... BC848W 2 dB 10 dB F f = 1 kHz, f = 200 Hz BC849W 1.2 dB 4 dB Typical thermal resistance junction to ambient 2 RthA 620 K/W ) Typischer Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses t = 300 s, duty cycle 2% p Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis 2% 2 2 Mounted on P.C. board with 3 mm copper pad at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2