W E E E S H BC856 ... BC860 BC856 ... BC860 I = -100 mA V = -30...-65 V C CEO h ~ 180/290/520 P = 250 mW FE tot SMD General Purpose PNP Transistors Tjmax = 150C SMD Universal-PNP-Transistoren Version 2018-10-11 Typical Applications Typische Anwendungen Signal processing, Signalverarbeitung, SOT-23 Switching, Amplification Schalten, Verstrken (TO-236) Commercial grade Standardausfhrung 1 1 Suffix -Q: AEC-Q101 compliant ) Suffix -Q: AEC-Q101 konform ) 1 1 +0.1 Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification ) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation ) 0.1 1.1-0.2 2.9 +0.1 0.4 -0.05 Features Besonderheiten 3 General Purpose Universell anwendbar Type Three current gain groups Drei Stromverstrkungsklassen Code Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, 1 2 Pb 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 0.1 1.9 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Taped and reeled 3000 / 7 Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. 1 = B 2 = E 3 = C Case material UL 94V-0 Gehusematerial Dimensions - Mae mm Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Type Recomm. complementary NPN transistors Code Empf. komplementre NPN-Transistoren BC856A/-Q 3A BC857A/-AQ 3E BC858A/-AQ 3E BC856B/-AQ 3B BC857B/-Q/-AQ 3F BC858B/-AQ 3F BC856C/-AQ 3C BC857C/-AQ 3G BC858C/-AQ 3G BC846 ... BC850 BC860B 3F BC859A/-AQ 3E BC860C 3G/4G BC859B/-AQ 3F BC859C/-AQ 3G/4G 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) BC857 BC858 BC856 BC860 BC859 Collector-Emitter-volt. Kollektor-Emitter-Spannung B open - V 65 V 45 V 30 V CEO Collector-Base-voltage Kollektor-Basis-Spannung E open - V 80 V 50 V 30 V CBO Emitter-Base-voltage Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 5 V 3 Power dissipation Verlustleistung P 250 mW ) tot Collector current Kollektorstrom DC - I 100 mA C Peak Collector current Kollektor-Spitzenstrom - I 200 mA CM Junction temperature Sperrschichttemperatur T -55...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur TS -55+150C 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 TA = 25C unless otherwise specified TA = 25C wenn nicht anders angegeben 2 3 Mounted on P.C. board with 3 mm copper pad at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss Diotec Semiconductor AG BC856 ... BC860 Characteristics Kennwerte T = 25C Min. Typ. Max. j DC current gain Kollektor-Basis-Stromverhltnis - V = 5 V - I = 10 A Group A 90 CE C Group B h 150 FE Group C 270 Group A 125 180 250 - I = 2 mA Group B h 220 290 475 C FE Group C 420 520 800 1 Collector-Emitter saturation voltage Kollektor-Sttigungsspannung ) - I = 10 mA - I = 0.5 mA 300 mV C B - V CEsat - I = 100 mA - I = 5 mA 650 mV C B 2 Base-Emitter saturation voltage Basis-Sttigungsspannung ) - I = 10 mA - I = 0.5 mA 700 mV C B - V BEsat - I = 100 mA - I = 5 mA 900 mV C B 2 Base-Emitter-voltage Basis-Emitter-Spannung ) - V = 5 V - I = - 2 mA 600 mV 750 mV CE C - V BE - VCE = 5 V - IC = - 10 mA 820 mV Collector-Base cutoff current Kollektor-Basis-Reststrom - V = 30 V 15 nA CE E open - I CBO - VCE = 30 V Tj = 125C 4 A Emitter-Base cutoff current - VEB = 5 V C open - IEBO 100 nA Gain-Bandwidth Product Transitfrequenz - V = 5 V, - I = 10 mA, f = 100 MHz f 100 MHz CE C T Collector-Base Capacitance Kollektor-Basis-Kapazitt - V = 10 V, I =i = 0, f = 1 MHz C 4.5 pF CB E e CBO Emitter-Base Capacitance Emitter-Basis-Kapazitt - V = 0.5 V, I = i = 0, f = 1 MHz C 9 pF EB C c EB0 Noise figure Rauschzahl - V = 5 V, - I = 200 A BC856 ... BC858 2 dB 10 dB CE C F R = 2 k, f = 1 kHz, f = 200 Hz BC859 ... BC860 1.2 dB 4 dB G Typical thermal resistance junction to ambient 2 R < 420 K/W ) thA Typischer Wrmewiderstand Sperrschicht Umgebung Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis 2% 2 2 Mounted on P.C. board with 3 mm copper pad at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2