BFS20 BFS20 Surface Mount Si-Epi-Planar Transistors NPN NPN Si-Epi-Planar Transistoren fr die Oberflchenmontage Version 2012-11-26 Power dissipation Verlustleistung 200 mW 0.1 1.1 2.9 Plastic case SOT-23 0.4 3 Kunststoffgehuse (TO-236) Type Code Weight approx. Gewicht ca. 0.01 g 1 2 Plastic material has UL classification 94V-0 1.9 Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Dimensions - Mae mm 1 = B 2 = E 3 = C Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25C) Grenzwerte (TA = 25C) BFS20 Collector-Emitter-volt. Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 20 V Collector-Base-volt. Kollektor-Base-Spannung E open VCBO 30 V Emitter-Base-voltage Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 4 V 1 Power dissipation Verlustleistung Ptot 200 mW ) Collector current Kollektorstrom (dc) IC 25 mA Junction temperature Sperrschichttemperatur Tj -55...+150C Storage temperature Lagerungstemperatur TS -55+150C Characteristics (Tj = 25C) Kennwerte (Tj = 25C) Min. Typ. Max. 2 DC current gain Kollektor-Basis-Stromverhltnis ) V = 10 V, I = 7 mA h 40 140 CE C FE Collector cutoff current Kollektor-Reststrom VCB = 20 V ICB0 100 nA Emitter-cutoff current Emitter-Reststrom V = 4 V I 100 A EB EB0 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gltig wenn die Anschlussdrhte in 2 mm Abstand vom Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhltnis 2% Diotec Semiconductor AG BFS20 Characteristics (T = 25C) Kennwerte (T = 25C) j j Min. Typ. Max. 1 Base-Emitter-voltage Basis-Emitter-Spannung ) V = 10 V, - I = 7 mA V 0.9 V CE C BE Gain-Bandwidth Product Transitfrequenz VCE = 10 V, IC = 5 mA, f = 100 MHz fT 275 MHz 450 MHz Collector-Base Capacitance Kollektor-Basis-Kapazitt VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz CCBO 1 pF Thermal resistance junction to ambient air 2 RthA < 420 K/W ) Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft Marking - Stempelung BFS20 = 8O 1 Tested with pulses t = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen t = 300 s, Schaltverhltnis 2% p p 2 2 Mounted on P.C. board with 3 mm copper pad at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 3 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss 2