SDA4AK Diotec

W E E E S H SDA2AK, SDA4AK P = 300 W V = 0.5 V, 1.0 V SDA2AK, SDA4AK PPM WM P = 1.0 W V = 0.9 V, 1.8 V M(AV) BR SMD Bidirectional Clamping Diodes Tjmax = 150C SMD Bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden Version 2016-05-30 Typical Applications Typische Anwendungen ~ DO-213AB Data line protection Schutz von Datenleitungen Plastic MELF Reducing junction capacitance of Reduzierung der Sperrschicht- TVS diodes kapazitt von TVS-Dioden 1 1 Commercial grade ) Standardausfhrung ) Features Besonderheiten Bidirectional clamping Bidirektionales Begrenzen Can be switched in series to Kann in Reihe zu einer TVS ge- a TVS, to reduce the total schaltet werden, um die Gesamt- capacitance kapazitt zu reduzieren Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH, Pb 1 1 Conflict Minerals ) Konfliktmineralien ) 1 1 Mechanical Data ) Mechanische Daten ) Taped and reeled 5000 / 13 Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.12 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehusematerial Dimensions - Mae mm Solder & assembly conditions 260C/10s Lt- und Einbaubedingungen MSL = 1 SDA2AK SDA4AK 2 2 Maximum ratings ) Grenzwerte ) 3 Peak pulse power dissipation (10/1000 s waveform) T = 25C P 300 W ) A PPM Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 s) 4 Steady state power dissipation T = 25C P 1 W ) A M(AV) Verlustleistung im Dauerbetrieb 4 Characteristics Kennwerte Type Breakdown voltage Stand-off voltage Max. rev. current Max. clamping voltage Typ Abbruch-Spannung Sperrspannung Max. Sperrstrom Max. Begrenzer-Spannung at / bei IT = 1 A at / bei VWM at / bei IPPM (10/1000 s) V V V V V V I A V V I A BRmin BRmax WM D C PPM SDA2AK 0.8 1.0 0.5 1000 2 40 SDA4AK 1.6 2.0 1.0 1000 4 40 1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 T = 25C unless otherwise specified T = 25C wenn nicht anders angegeben j j 3 Non-repetitive pulse see curve I = f (t) / P = f (t), see e. g. datasheet TGL41 PP PP Hchstzulssiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve I = f (t) / P = f (t), siehe z. B. Datenblatt TGL41 PP PP 2 4 Mounted on P. C. board with 25 mm copper pads at each terminal 2 Montage auf Leiterplatte mit 25 mm Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschluss Diotec Semiconductor AG SDA2AK, SDA4AK Characteristics Kennwerte Junction temperature Sperrschichttemperatur T -50...+150C j Storage temperature Lagerungstemperatur TS -50...+175C Typical junction capacitance V = 0 V C 800 pF R j Typische Sperrschichtkapzitt Thermal resistance junction to ambienWrmewiderstand Sperrschicht Umgebung R < 45 K/W ) thA Thermal resistance junction to terminal Wrmewiderstand Sperrschicht Anschluss R < 10 K/W thT 120 % t = 10 s r 100 100 % 80 80 60 60 I /2 PPM P /2 PPM 40 40 I PP I PP 20 20 P PP P PP t P 0 0 0 1 2 3 ms 4 0 T 50 100 150 C A 1 Peak pulse power/current vs. ambient temperature ) 10/1000s - pulse waveform 1 Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. ) 10/1000s - Impulsform Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 2