Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D1030N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values Kenndaten V 2200 V Periodische Spitzensperrspannung T = -25C... T RRM vj vj max 2400 V repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften 2600 V Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 2040 A FRMSM maximum RMS on-state current T = 100 C Dauergrenzstrom C I 1030A FAVM average on-state current 1490 A Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I C P FAVM average on-state current 2340 A Durchlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state current Stostrom-Grenzwert T =25 C, t = 10 ms I 17000 A vj P FSM surge cur rent T = T t = 10 ms 14500 A vj vj max P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 1445 10As vj P It-value T = T , t = 10 ms 1051 10As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 4,0 kA v max. 2,05 V vj vj max F F on-state voltage T = T , i = 1,0 kA max. 1,11 V vj vj max F Schleusenspannung T = T V 0,82 V vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzwiderstand T = T r 0,28 vj vj max T slope resistance T = T A= 3,973E-01 Durchlakennlinie 300 A i 5000 A vj vj max F B= 2,062E-04 on-state characteristic C= 3,005E-02 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F D= 9,271E-03 F F F Thermische Eigenschaften max. Sperrstrom T = T , v = V i 40 mA vj vj max R RRM R reverse current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Khlflche / cooling surface R Innerer Wrmewiderstand thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,038 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,035 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,064 C/W Anode / anode, DC max. 0,061 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,085 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,082 C/W Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand R thCH max. beidseitig / two-sided 0,005 C/W thermal resistance, case to heatsink max. 0,010 C/W einseitig / single-sided 160 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+160C c op operating temperature T -40...+160C Lagertemperatur stg storage temperature prepared by: H.Sandmann date of publication: 2008-09-15 approved b y: M.Leifeld revision: 3.0 IFBIP D AEC, 2008-09-15, H.Sandmann A 47/08 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D1030N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 10...24kN clamping force Gewicht G typ. 285g weight Kriechstrecke 25mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC, 2008-09-15, H.Sandmann A 47/08 Seite/page 2/8