European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information D 1251 S 45 T 75 C 77 max. A -0.1 48 2 center holes 3.5 1.8 VWK January +-0.5 14Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1251 S 45 T Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage t = -40C...140C V 4500 V vj RRM Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage t = +25C...140C V 4600 V vj RSM Durchlastrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current I 2400 A FRMSM Dauergrenzstrom / mean forward current t = 85C I 1310 A C FAVM t = 70C 1530 A C 1) Stostrom-Grenzwert t = 25C I vj FSM 1) 1) surge forward current t = 140C 18000 A vj Grenzlastintegral t = 25C It vj 6 It-value t = 140C 1,62x10 As vj Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichsperrspannung / contin. direct reverse voltage t = -40C...+85C V typ. 2500 V C R(D) Durchlaspannung / forward voltage tvj = 140C iFM = 2500 A VF max. 2,5 V Schleusenspannung / threshold voltage t = 140c V 1,25 V vj (TO) Ersatzwiderstand / forward slope resistance t = 140C r 0,45 m vj T Sperrstrom / reverse current t = 140C, v = 0,67 V i vj R RRM R t = 140C, v = V 80 mA vj R RRM Rckstromspitze / peak reverse recovery current iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/s IRM 800 A t = 140 C v = 1000 V vj R(Spr) C = 3 F R = 4 Sperrverzgerungsladung i = 1000 A, -di/dt = 250 A/s Q 3000 As FM F rr recovered charge t = 140 C v = 1000 V vj R(Spr) C = 3 F R = 4 Period. Abklingsteilheit des Durchlastromes beim Ausschalten / i = 2000 A, C = 3 F R = 4 (-di/dt) 500 A/s FM S com repetitive decay rate of on-state current at turn-off t = 140 C v = 3000 V vj R Snubberdiode D291S Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thJC thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided 0,014 K/W Anoden / anode 0,0245 K/W Kathode / cathode 0,0325 K/W bergangs-Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface RthCK thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided 0,005 K/W einseitig / single-sided 0,01 K/W Hchstzul. Sperrschichttemperatur/ max. junction temperat. t max 140 C vj Betriebstemperatur / operating temperature t op -40...+140 C c Lagertemperatur / storage temperature tstg -40...+150 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage / case, see appendix Seite / page 1 Anprekraft /clamping force F 15...36 kN Gewicht / weight G ca. 350 g Luftstrecke / air distance ca. 10 mm Kriechstrecke / creepage distance 16 mm Feuchteklasse / humidity classification DIN 40040 C Schwingfestigkeit / vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 1) Gehusegrenzstrom ca 15 kA, 50 Hz Sinus-Halbwelle / current liit of cas ca 15 kA, 50 Hz sine half wave