Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1381 S 45 T S Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values t = -40C ... t vj vj max Periodische Spitzensperrspannung V 4500 V RRM repetitive peak reverse voltage tvj = +25C ... tvj max Stospitzensperrspannung V 4600 V RSM non-repetetive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 2560 A FRMSM RMS forward current t = 85C, f = 50Hz C Dauergrenzstrom I 1380 A FAVM tC = 70C, f = 50Hz mean forward current 1630 A tvj = tvj max, tp = 10ms Stostrom-Grenzwert I 32 kA FSM surge forward current 2 6 2 Grenzlastintegral I t 5,12-10 A s 2 I t-value iFM = 3000A, vR = 0,67 VRRM Period. Abklingsteilheit des Durchlastroms beim Ausschalten (-di /dt) 500 A/s F com CS = 3F, RS = 4 repetitive decay rate of on-state current at turn-of DS = D291S45T Charakteristische Werte / Characteristic values failure rate < 100 typ. Gleichsperrspannung V 3000 V R(D) estimate value continuous direct reverse voltage t = t , i = 2500A vj vj max F max Durchlaspannung v 2,6 V F forward voltage tvj = tvj max Schleusenspannung V 1,4 V (TO) threshold voltage t = t vj vj max Ersatzwiderstand r 0,48 m T forward slope resistance tvj = tvj max Durchlarechenkennlinie max. On-state characteristics for calculation A -1,712 B 0,000708 V = A+ B i + C ln(i + 1)+ D i C 0,688 F F F F D -0,0566 tvj = tvj max, diF/dt = 500A/s Spitzenwert der Durchlaverzgerungsspannung V typ. 57 V FRM peak value of forward recovery voltage t = t v = V vj vj max, R RRM Sperrstrom i 100 mA R reverse current tvj = tvj max max Rckstromspitze I 700 A RM i = 1000A, -di /dt = 250A/s FM F peak reverse recovery current v = 1000V, C = 3F, R = 4 R S S D = D291S45T S tvj = tvj max max Sperrverzgerungsladung Q 2800 As r iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/s recovered charge v = 1000V, C = 3F, R = 4 R S S DS = D291S45T SZ-M / 16 June 1997, M. Beuermann Seite/page 1Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 1381 S 45 T S Thermische Eigenschaften / Thermal properties Khlflche / cooling surface Innerer Wrmewiderstand R thJC beidseitig / two-sided, DC thermal resistance, junction to case max 0,0125 C/W Anode / anode, DC max 0,0228 C/W Kathode /cathode, DC max 0,0277 C/W Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand R thCK beidseitig / two-sided max thermal resistance, case to heatsink 0,003 C/W einseitig / single sided max 0,006 C/W Hchstzulssige Sperrschichttemperatur t 140 C vj max max. junction temperature Betriebstemperatur t -40...+140 C c op operating temperature Lagertemperatur t -40...+150 C stg storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix Anprekraft F 27...45 kN clampig force typ Gewicht G 850 g weight Kriechstrecke 30 mm creepage distance Luftstrecke 20 mm air distance DIN 40040 Feuchteklasse C humidity classification 2 f = 50Hz Schwingfestigkeit 50 m/s vibration resistance Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 16 June 1997, M. Beuermann Seite/page 2