Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D1800N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values V 3600 4400 V Periodische Spitzensperrspannung T = -40C... T RRM vj vj max Kenndaten 4000 4600 V repetitive peak reverse voltages 4200 4800 V Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 3850 A FRMSM maximum RMS on-state current T = 100 C C Dauergrenzstrom I 1800A FAVM average on-state current Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I 2550 A C P FAVM average on-state current 4000 A Durchlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state cu rrent Stostrom-Grenzwert T =25 C, t = 10 ms I 35000 A vj P FSM surge current T = T t = 10 ms 27500 A vj vj max, P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 6125 10As vj P It-value T = T , t = 10 ms 3781 10As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 7,4 kA v max. 2,82 V vj vj max F F on-state voltage T = T , i = 1,5 kA max. 1,32 V vj vj max F Schleusenspannung T = T V 0,85 V vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzwiderstand T = T r 0,253 vj vj max T slope resistance T = T A= -7,537E-01 Durchlakennlinie 500 A i 9000 A vj vj max F B= 3,748E-04 on-state characteristic C= 3,443E-01 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F D= -2,660E-02 F F F Thermische Eigenschaften max. Sperrstrom T = T , v = V i 100 mA vj vj max R RRM R reverse current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Khlflche / cooling surface R Innerer Wrmewiderstand thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,0169 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,0160 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,0329 C/W Anode / anode, DC max. 0,0320 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,0329 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,0320 C/W Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand R thCH 0,0025 beidseitig / two-sided max. C/W thermal resistance, case to heatsink 0,0050 einseitig / single-sided max. C/W 160 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+160C c op operating temperature T -40...+160C stg Lagertemperatur storage temperature prepared by: H.Sandmann date of publication: 2008-09-15 approved by: M.Leifeld revision: 3.0 IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 41/08 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D1800N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 24...60kN clamping force Gewicht G typ. 600g weight Kriechstrecke 25mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 41/08 Seite/page 2/8