Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2200N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values V 2000 V Periodische Spitzensperrspannung T = -40C... T RRM vj vj max Kenndaten 2200 V repetitive peak reverse voltages 2400 V Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 4900 A FRMSM maximum RMS on-state current T = 100 C Dauergrenzstrom C I 2200A FAVM average on-state current 3150 A Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I C P FAVM average on-state current 4950 A Durchlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state current Stostrom-Grenzwert T =25 C, t = 10 ms I 41000 A vj P FSM surge current T = T t = 10 ms 35000 A vj vj max P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 8405 10As vj P It-value T = T , t = 10 ms 6125 10As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 9,4 kA v max. 2,3 V vj vj max F F on-state voltage T = T , i = 2,0 kA max. 1,2 V vj vj max F Schleusenspannung T = T V 0,83 V vj vj max (TO) threshold voltage Ersatzw iderstand T = T r 0,145 m vj vj max T slope resistance T = T A= -4,860E-01 Durchlakennlinie 600 A i 11000 A vj vj max F B= 1,750E-04 on-state characteristic C= 2,311E-01 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F D= -9,977E-03 F F F max. Sperrstrom T = T , v = V i 150 mA vj vj max R RRM R reverse current Thermische Eigenschaften Thermische Eigenschaften / Thermal properties Khlflche / cooling surface R Innerer Wrmewiderstand thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,0169 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,0160 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,0329 C/W Anode / anode, DC max. 0,0320 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,0329 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,0320 C/W Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand R thCH beidseitig / two-sided max. 0,0025 C/W thermal resistance, case to heatsink 0,0050 C/W einseitig / single-sided max. 160 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+160C c op operating temperature T -40...+160C stg Lagertemperatur storage temperature prepared by: H.Sandmann date of publication: 2009-06-15 approved by: M.Leifeld revision: 2.0 IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann A 18/09 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2200N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 24...60kN clamping force Gewicht G typ. 600g weight Kriechstrecke 25mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann A 18/09 Seite/page 2/8