Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2450N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values V 400 V Periodische SpitKenndaten zensperrspannung T = -40C... T RRM vj vj max 600 V repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 4000 A FRMSM maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom T = 100 C I 2450A C FAVM average on-state current 3310 A Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I C P FAVM average on-state current 5190 A Durchlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state current Stostrom-Grenzwert T = 25 C, t = 10 ms I 33000 A vj P FSM surge current T = T t = 10 ms 28500 A vj vj max P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 5445 10As vj P It-value T = T , t = 10 ms 4061 10As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 7,7 kA v max. 1,5 V vj vj max F F on-state voltage T = T , i = 2,0 kA max. 0,88 V vj vj max F Schleusenspannung T = T V 0,7 V vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzwiderstand T = T r 0,0975 vj vj max T slope resistance T = T A= 1,154E+00 Durchlakennlinie 600 A i 11000 A vj vj max F B= 3,499E-05 on-state characteristic C= -1,228E-01 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F D= 1,338E-02 F F F Sperrstrom T = T , v = V i max. 50 mA vj vj max R RRM R Thermische Eigenschaften reverse current Therm ische Eigenschaften / Thermal properties Khlflche / cooling surface R Innerer W rmewiderstand thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,0253 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,0240 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,0414 C/W Anode / anode, DC max. 0,0400 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,0614 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,0600 C/W Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand R thCH beidseitig / two-sided max. 0,005 C/W thermal resistance, case to heatsink einseitig / single-sided max. 0,010 C/W 180 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+180C c op operating temperature T -40...+180C Lagertemperatur stg storage temperature prepared by: H.Sandmann date of publication: 2010-01-21 approved by: M.Leifeld revision: 3.1 IFBIP D AEC/ 2010-01-21, H.Sandmann A 15/10 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2450N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 12...24kN clamping force Gewicht G typ. 160g weight Kriechstrecke 9mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC/ 2010-01-21, H.Sandmann A 15/10 Seite/page 2/8