Datenblatt / Data sheet N Vorlufige Daten Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2520N preliminary data Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values V 2200 V Periodische Spitzensperrspannung T = -40C... T RRM vj vj max Kenndaten repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 4950 A FRMSM maximum RMS on-state current T = 100 C C Dauergrenzstrom I 2520A FAVM average on-state current Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I 3450 A C P FAVM average on-state current 5420 A Durc hlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state current Stostrom-Grenzwert T =25 C, t = 10 ms I 41000 A vj P FSM surge current T = T t = 10 ms 35000 A vj vj max P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 8405 10As vj P It-value T = T , t = 10 ms 6125 10As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannu ng T = T , i = 10.2kA v max. 1,75 V vj vj max F F on-state voltage T = T , i = 2kA max. 0,93 V vj vj max F Schleusenspannung T = T V 0,73 V vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzwiderstand T = T r 0,1 vj vj max T slope resistance T = T A= 3,891E-01 Durchlakennlinie 600 A i 13000 A vj vj max F B= 6,013E-05 on-state characteristic C= 2,545E-02 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i Thermische Eigenschaften F D= 5,110E-03 F F F max. Sperrstrom T = T , v = V i 75 mA vj vj max R RRM R reverse current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Khlflche / cooling surface R Innerer Wrmewiderstand thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,0220 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,0200 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,0397 C/W Anode / anode, DC max. 0,0375 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,0453 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,0429 C/W Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand R thCH 0,005 beidseitig / two-sided max. C/W thermal resistance, case to heatsink einseitig / single-sided max. C/W 0,010 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T 175 C vj max maximum junction temperatu re -40...+175 C Betriebstemperatur T c op operating temperature T -40...+175C stg Lagertemperatur storage temperature prepared by: C.Drilling date of publication: 2008-11-25 approved b y: M.Leifeld revision: 1.0 IFBIP D AEC/ C. Drilling 2008-11-25 A 60/08 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Vorlufige Daten Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2520N preliminary data Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 1524kN clamping force Gewicht G typ. 520g weight Kriechstrecke 25mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC/ C. Drilling 2008-11-25 A 60/08 Seite/page 2/8