Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2650N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values V 2400 V Periodische Spitzensperrspannung T = -40C... T RRM vj vj max Kenndaten repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 4710 A FRMSM maximum RMS on-state current T = 100 C Dauergrenzstrom C I 2650A FAVM average on-state current 3520 A Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I C P FAVM average on-state current Durchlastrom-Effektivwert I 5520 A FRMS RMS on-state current Stostrom-Grenzwert T =25 C, t = 10 ms I 41000 A vj P FSM surge current T = T t = 10 ms 33500 A vj vj max P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 8405 10As vj P It-value T = T , t = 10 ms 5611 10As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 9,0 kA v max. 2,25 V vj vj max F F on-state voltage T = T , i = 2,5 kA max. 1,25 V vj vj max F Schleusenspannung T = T V 0,82 V vj vj max (TO) threshold voltage Ersatzw iderstand T = T r 0,148 m vj vj max T slope resistance T = T A= -4,562E-01 Durchlakennlinie 700 A i 13000 A vj vj max F B= 1,522E-04 on-state characteristic C= 2,069E-01 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F F F F D= -5,183E-03 max. Sperrstrom T = T , v = V i 200 mA vj vj max R RRM R reverse current Thermische Eigenschaften Thermische Eigenschaften / Thermal properties Khlflche / cooling surface R Innerer Wrmewiderstand thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,0169 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,0160 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,0329 C/W Anode / anode, DC max. 0,0320 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,0329 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,0320 C/W Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand R thCH beidseitig / two-sided max. 0,0025 C/W thermal resistance, case to heatsink max. 0,0050 C/W einseitig / single-sided 180 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+180C c op operating temperature T -40...+180C Lagertemp eratur stg storage tempe rature prepared by: H.Sandmann date of publication: 2009-06-15 approved by: M.Leifeld revision: 1 IFBIP D AEC / 2009-05-12, H.Sandmann A 20/09 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D2650N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 24...60kN clamping force Gewicht G typ. 600g weight Kriechstrecke 25mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2009-05-12, H.Sandmann A 20/09 Seite/page 2/8