S Datenblatt / Data sheet Schnelle Diode D450S Fast Diode Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values 1600 V Kenndaten Periodische Spitzensperrspannung T = -25C... T V vj vj max RRM 2000 V repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 651 A FRMSM maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom T = 100C I 443 A C FAVM average on-state current 670 A Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I C P FAVM average on-state current 1050 A Durchlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state current Stostrom-Grenzwert T = +25C, t = 10 ms I 5600 A vj P FSM surge current T = T , t = 10 ms 4600 A vj vj max P T = +25C, t = 1 ms 12750 A vj P A T = T , t = 1 ms 10470 vj vj max P Grenzlastintegral T = +25C, t = 10 ms It 156,8 As vj P It-value T = T , t = 10 ms 105,8 As vj vj max P T = +25C, t = 1 ms 81,28 As vj P T = T , t = 1 ms 54,81 As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values max. V Durchlaspannung T = T , i = 1,2 kA v 2,25 vj vj max F F on-state voltage V Schleusenspannung T = T V 1 vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzwiderstand T = T r 0,9 vj vj max T slope resistance 11 V 1) Typischer Wert der Durchlaverzgerungsspannung IEC 747-2 V FRM typical value of forward recovery voltage T = T , di /dt = 50 A/s, v = 0 V vj vj max F R 4,2 s 1) Durchlaverzgerungszeit IEC 747-2, Methode / Method II t fr forward recovery time i = 1200 A T = T , FM vj vj max di /dt = 50 A/s, v = 0V F R max. Sperrstrom T = +25C i 10 mA vj R mA reverse current T = T , v = V 100 vj vj max R RRM 123 A 1) Rckstromspitze IEC 747-2, T = T I vj vj max RM peak reverse recovery current i = 410 A, -di /dt = 50 A/s FM F v = 100 V, v 200V R RM 650 As 1) Sperrverzgerungsladung IEC 747-2, T = T Q vj vj max r recovered charge i = 410 A, -di /dt = 50 A/s FM F v = 100 V, v 200V R RM Sperrverzgerungszeit IEC 747-2, T = T t 6,2 s 1) vj vj max rr reverse recovery time i = 410 A, -di /dt = 50 A/s FM F v = 100 V, v 200V R RM 1) Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / upper limit of scutter range (standard value) prepared by: H.Sandmann date of publication: 2010-01-18 approved by: M.Leifeld revision: 3.1 IFBIP D AEC / 2010-01-18, H.Sandmann A 08/10 Seite/page 1/5 Seite / page A 14/92 S Datenblatt / Data sheet Schnelle Diode D450S Fast Diode Thermische Eigenschaften / Thermal properties Khlflche /cooling surface R Innerer Wrmewiderstand thJC 0,057 beidseitig / two sided, = 180 sin max. C/W thermal resistance, junction to case 0,053 Thermische Eigenschaften beidseitig / two sided, DC max. C/W 0,094 Anode / anode, = 180 sin max. C/W 0,090 Anode / anode, DC max. C/W 0,134 Kathode / cathode, = 180 sin max. C/W 0,130 Kathode / cathode, DC max. C/W Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand R thCH 0,015 beidseitig / two-sided max. C/W thermal resistance, case to heatsink 0,030 einseitig / single-sided max. C/W 150 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -25+180 c op operating temperature Mechanische Eigenschaften T -25+180 Lagertemperatur stg storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see annex page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 3,2...7,6 kN clamping force Gewicht G typ. 75 g weight Kriechstrecke 10mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2010-01-18, H.Sandmann A 08/10 Seite/page 2/5 Seite / page A 14/92