E u r o p e a n P o w e r - S e m i c o n d u c t o r a n d E l e c t r o n i c s C o m p a n y M a r k e t i n g I n f o r m a t i o n D 5 6 S 4 0 . 4 5 D 5 6 U 4 0 . 4 5 15 5,5 SW27 M12 Type Circuit symbol Cathode Anode S Connection pin Case U Case Connection pin M a 1 - B E / 2 3 J u n 1 9 9 3Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 56 S 40...45 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties t V V RRM V t V V RSM V I A FRMSM t I A C FAVM t A C t I A p FSM t A p t As p t As p t V V F F t V V t r 8 m T V FRM t F R t 4 s fr t FM F fr F R t i R RRM R t R RRM I RM i FM F V R RRM RM RRM As Q r i FM F V R RRM RM RRM s t i FM F V R RRM RM RRM s/A SR i FM F V R RRM RM RRM Thermische Eigenschaften / Thermal properties R C/W C/W R C/W t t c op t Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties M G g C MA 1-BE / 12 Jul 1993 Richtwert fr untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value) 2) Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) 1) belonging technical notes. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt Khlkrper / heatsink : K1, 1-M12-A K0,55-M12-A GK-M12-A m/s 50 f = 50 Hz Schwingfestigkeit / vibration resistance DIN 40040 Feuchteklasse / humidity classification mm 21 Kriechstrecke / creepage distance typ. 110 Gewicht / weight Nm 20 Anzugsdrehmoment / tightening torque Durchmesser/diameter 21mm Si-Elemente mit Druckkontakt / Si-pellets with pressure contact stg C -40...+150 Lagertemperatur / storage temperature C -40...+125 Betriebstemperatur / operating temperature vj max C 125 Hchstzul. Sperrschichttemp./ max.junction temperat. einseitig / single-sided thermal resistance, case to heatsink thCK max. 0,04 Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand max. 0,245 Anode / anode, DC max. 0,260 thermal resistance, junction to case =180sin Anode / anode, thJC Khlflche / cooling surface Innerer Wrmewiderstand =0,8V , v =0,5V /dt = 200 A/s = 150A, -di Softness max Vj Vj 0,004 =t DIN IEC 747-2, t Sanftheit 2) =0,8V , v =0,5V /dt = 200 A/s = 150A, -di reverse recovered time rr max Vj Vj 3,3 =t DIN IEC 747-2, t Sperrverzgerungszeit 1) =0,8V , v =0,5V /dt = 200 A/s = 150A, -di recovered charge Vj max Vj 550 =t DIN IEC 747-2, t Sperrverzgerungsladung 1) =0,8V , v =0,5V /dt=200A/s =150A, -di max Vj Vj 230 =t DIN IEC 747-2, t Rckstromspitze / peak reverse recovery current A 1) max vj vj mA max. 50 = V , v = t vj vj mA max. 5 = V 25C, v = t Sperrstrom / reverse current = 0V /dt = 200 A/s v di vj max, vj /dt*t =di i =t forward recovery time IEC 747-2, Methode / method II Durchlaverzgerungszeit 1) = 0V /dt = 200 A/s v di max vj vj = t peak value of forward recovery voltage V 200 IEC 747-2 Spitzenwert der Durchlaverzgerungsspannung 1) max vj vj = t Ersatzwiderstand / forward slope resistance (TO) max vj vj 1,64 = t Schleusenspannung / threshold voltage max vj vj max. 4,5 = 320 A , i = t Durchlaspannung / forward voltage Charakteristische Werte / Characteristic values max, vj vj 9100 = 10 ms t = t It-value vj 12000 It =10 ms = 25C, t Grenzlastintegral max, vj vj 1350 = 10 ms t = t surge forward current vj 1550 =10 ms = 25C, t Stostrom-Grenzwert 102 = 28C 56 = 85C Dauergrenzstrom / mean forward current 160 Durchlastrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current 4600 non-repetitive peak reverse voltage max vj vj 4100 = +25C...t Stospitzensperrspannung 4500 repetitive peak reverse voltage max vj vj 4000 = -10C...t Periodische Spitzensperrspannung Hchstzulssige Werte / Maximum rated values