Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode D650N Rectifier Diode Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values V 400 V PeriKenndaten odische Spitzensperrspannung T = -40C... T RRM vj vj max 600 V repetitive peak reverse voltages 800 V Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 721 A FRMSM maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom T = 100 C I 650A C FAVM average on-state current 860 A Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I C P FAVM average on-state current 1360 A Durchlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state current Stostrom-Grenzwert T = 25 C, t = 10 ms I 6300 A vj P FSM surge current T = T t = 10 ms 5100 A vj vj max P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 198,5 10As vj P It-value T = T , t = 10 ms 130 10As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 1350 A v vj vj max F F max. 1,44 V on-state voltage T = T , i = 450 A vj vj max F max. 0,95 V Schleusenspannung T = T V 0,7 V vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzwiderstand T = T r 0,51 vj vj max T slope resistance T = T A= 5,400E-01 Durchlakennlinie 100 A i 3000 A vj vj max F B= 1,988E-04 on-state characteristic C= -1,660E-02 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F F F F D= 2,007E-02 Sperrstrom T = T , v = V i max. 20 mA vj vj max R RRM R reverse current Thermische Eigenschaften Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,081 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,074 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,132 C/W Anode / anode, DC max. 0,125 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,203 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,196 C/W ber gangs-Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thCH beidseitig / two-sided max. 0,015 C/W thermal resistance, case to heatsink max. 0,030 C/W einseitig / single-sided 180 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junctio n temperature Betriebstemperatur T -40...+180C c op operating temperature T -40...+180C Lagertemperatur stg storage temperature prepared by: H.Sandmann date of publication: 2010-01-19 approved by: M.Leifeld revision: 3.1 IFBIP D AEC / 2010-01-19, H.Sandmann A 08/10 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode D650N Rectifier Diode Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 2,6...4,6kN clamping force Gewicht G typ. 75g weight Kriechstrecke 10mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2010-01-19, H.Sandmann A 08/10 Seite/page 2/8