S Datenblatt / Data sheet Schnelle Diode D690S Fast Diode Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values 2000 2400 V Kenndaten Periodische Spitzensperrspannung T = -25C... T V vj vj max RRM 2200 2600 V repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 1600 A FRMSM maximum RMS on-state current A Dauergrenzstrom T = 100 C I 690 C FAVM average on-state current Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I 870 A C P FAVM average on-state current Durchlastrom-Effektivwert I 1360 A FRMS RMS on-state current 14000 A Stostrom-Grenzwert T = 25C, t = 10 ms I vj P FSM 11500 A surge current T = T , t = 10 ms vj vj max P 33400 A T = 25C, t = 1 ms vj P 27500 A T = T , t = 1 ms vj vj max P 3 980 10 As Grenzlastintegral T = 25C, t = 10 ms It vj P 3 661 10 As It-value T = T , t = 10 ms vj vj max P 3 558 10 As T = 25C, t = 1 ms vj P 3 378 10 As T = T , t = 1 ms vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values max. V Durchlaspannung T = T , i = 3000A v 2,7 vj vj max F F on-state voltage V Schleusenspannung T = T V 1,0 vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzwiderstand T = T r 0,5 vj vj max T slope resistance T = T A= -1,575E-01 Durchlakennlinie 200 A i 3000 A vj vj max F B= 6,000E-04 on-state characteristic C= 2,421E-01 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F F F F D= -1,582E-02 typ. 16,5V Spitzenwert der Durchlaverzgerungsspannung DIN IEC 747-2 V FRM peak value of forward recovery voltage T = T , di /dt = 50A/s, v = 0V vj vj max F R typ. 6,2s Durchlaverzgerungszeit DIN IEC 747-2, Methode / Method II t fr forward recovery time T = T i = 3000A vj vj max, FM di /dt = 50A/s, v = 0V F R max. Sperrstrom T = 25C , v = v i 25 mA vj R RRM R max. reverse current T = T , v = V 250 mA vj vj max R RRM 155 A Rckstromspitze DIN IEC 747-2, T = T I vj vj max RM peak reverse recovery current i = 1020A, -di /dt = 50A/s FM F v 0,5V , v = 0,8V R RRM RM RRM Sperrverzgerungsladung DIN IEC 747-2, T = T Q 970 As vj vj max r recovered charge i = 1020A, -di /dt = 50A/s FM F v 0,5V , v = 0,8V R RRM RM RRM Sperrverzgerungszeit DIN IEC 747-2, T = T t 9s vj vj max rr reverse recovery time i = 1020A, -di /dt = 50/s FM F v 0,5V , v = 0,8V R RRM RM RRM prepared by: H.Sandmann date of publication: 2008-09-15 approved by: M.Leifeld revision: 3.0 Seite/page 1/6 IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 48/08 Seite / page A 14/92 S Datenblatt / Data sheet Schnelle Diode D690S Fast Diode Thermische Eigenschaften / Thermal properties Khlflche /cooling surface R Innerer Wrmewiderstand thJC beidseitig / two sided, = 180 sin max. 0,039 C/W thermal resistance, junction to case Thermische Eigenschaften beidseitig / two sided, DC max. 0,036 C/W Anode / anode, = 180 sin max. 0,063 C/W Anode / anode, DC max. 0,060 C/W Kathode / cathode, = 180 sin max. 0,930 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,900 C/W Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand R thCH 0,005 beidseitig / two-sided max. C/W thermal resistance, case to heatsink 0,010 einseitig / single-sided max. C/W 150 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperature C Betriebstemperatur T -40...+150 c op operating temperature Mechanische Eigenschaften C T -40...+150 Lagertemperatur stg storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see annex page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 1024kN clamping force Gewicht G typ. 300g weight Kriechstrecke 25mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. Seite/page 2/6 IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 48/08 Seite / page A 14/92