Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D740N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values V 3600 4400 V Periodische Spitzensperrspannung T = -25C... T RRM vj vj max Kenndaten 4000 4800 V repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 1540 A FRMSM maximum RMS on-state current T = 100 C Dauergrenzstrom C I 750A FAVM average on-state current 1060 A Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I C P FAVM average on-state current 1660 A Durchlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state current Stostrom-Grenzwert T =25 C, t = 10 ms I 14000 A vj P FSM surge current T = T t = 10 ms 11000 A vj vj max P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 980 10As vj P It-value T = T , t = 10 ms 605 10As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannu ng T = T , i = 3,0 kA v max. 2,94 V vj vj max F F on-state voltage T = T , i = 700 A max. 1,45 V vj vj max F Schleusenspannung T = T V 0,85 V vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzw iderstand T = T r 0,65 vj vj max T slope resistance T = T A= 7,770E-01 Durchlakennlinie 200 A i 4000 A vj vj max F B= 4,939E-04 on-state characteristic C= -1,975E-02 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F F F F D= 1,549E-02 Thermische Eigenschaften max. Sperrstrom T = T , v = V i 70 mA vj vj max R RRM R reverse current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Khlflche / cooling surface R Innerer Wrmewiderstand thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,039 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,036 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,066 C/W Anode / anode, DC max. 0,063 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,087 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,084 C/W Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand R thCH beidseitig / two-sided max. 0,005 C/W thermal resistance, case to heatsink 0,010 C/W einseitig / single-sided max. 160 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperatu re Betriebstemperat ur T -40...+160C c op operating temp erature T -40...+160C stg Lagertemperatur storage temperature prepared by: H.Sandmann date of publication: 2009-03-04 approved by: M.Leifeld revision: 2.0 IFBIP D AEC / 2009-03-04 / H.Sandmann A 08/09 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D740N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 10...24kN clamping force Gewicht G typ. 280g weight Kriechstrecke 25mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2009-03-04 / H.Sandmann A 08/09 Seite/page 2/8