Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D770N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values V 1200 1800 V Periodische SpitKenndaten zensperrspannung T = -40C... T RRM vj vj max 1400 2000 V repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 933 A FRMSM maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom T = 100 C I 770A C FAVM average on-state current 1010 A Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I C P FAVM average on-state current 1590 A Durchlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state current Stostrom-Grenzwert T = 25 C, t = 10 ms I 7700 A vj P FSM surge current T = T t = 10 ms 6000 A vj vj max P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 296,45 10As vj P It-value T = T , t = 10 ms 180 10As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 1,6 kA v max. 1,76 V vj vj max F F on-state voltage T = T , i = 400 A max. 1,08 V vj vj max F Schleusenspannung T = T V 0,81 V vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzwiderstand T = T r 0,54 vj vj max T slope resistance T = T A= 2,182E-01 Durchlakennlinie 100 A i 2000 A vj vj max F B= 5,198E-04 on-state characteristic C= 1,232E-01 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F D= -4,824E-03 F F F Sperrstrom T = T , v = V i max. 30 mA vj vj max R RRM R Thermische Eigenschaften reverse current Therm ische Eigenschaften / Thermal properties Khlflche / cooling surface R Innerer W rmewiderstand thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,057 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,053 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,094 C/W Anode / anode, DC max. 0,090 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,134 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,130 C/W Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand R thCH beidseitig / two-sided max. 0,015 C/W thermal resistance, case to heatsink max. 0,030 C/W einseitig / single-sided 180 Hchstzulss ige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperatu re Betriebstemperatur T -40...+180C c op operating temperature T -40...+180C Lagertemperatur stg storage temperature prepared by: H.Sandmann date of publication: 2010-01-20 approved by: M.Leifeld revision: 3.1 IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann A 10/10 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D770N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 3,2...7,6kN clamping force Gewicht G typ. 75g weight Kriechstrecke 10mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2010-01-20, H.Sandmann A 10/10 Seite/page 2/8