Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 801 S 45 T S Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values t = -40C ... t vj vj max Periodische Spitzensperrspannung V 4500 V RRM f = 50Hz repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 2450 A FRMSM RMS forward current tC = 85C, f = 50Hz Dauergrenzstrom IFAVM 1240 A t = 60C, f = 50Hz C mean forward current 1570 A t = t , t = 10ms vj vj max p Stostrom-Grenzwert I 14 kA FSM surge forward current 2 6 2 Grenzlastintegral I t 0,98-10 A s 2 I t-value i = 1000A, v = 1500 V FM R Period. Abklingsteilheit des Durchlastroms beim Ausschalten (-di /dt) 1000 A/s F com repetitive decay rate of on-state current at turn-of i 150A F Hchstzulssige Kommutierungsspannung V 3200 V R(cr) L 250nH als GTO Snubberdiode snubberless maximum permissible link voltage as GTO snubber-diode Charakteristische Werte / Characteristic values tvj = tvj max, iF = 2500A max Durchlaspannung v 3,7 V F forward voltage tvj = tvj max Schleusenspannung V 1,8 V (TO) threshold voltage t = t vj vj max Ersatzwiderstand r 0,76 m T forward slope resistance tvj = tvj max Durchlarechenkennlinie max. On-state characteristics for calculation A 0,336 B 0,000414 V = A+ B i + C ln(i + 1)+ D i C 0,163 F F F F D 0,0209 t = t , di /dt = 1000A/s vj vj max F Spitzenwert der Durchlaverzgerungsspannung V typ 85 V FRM peak value of forward recovery voltage tvj = tvj max, vR = VRRM Sperrstrom i 250 mA R reverse current tvj = tvj max Rckstromspitze IRM 625 A i = 1000A, -di /dt = 250A/s FM F peak reverse recovery current v = 1000V, C = 0.125F, R = 6 R S S t = t vj vj max Sperrverzgerungsladung Q max 1700 As r iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/s recovered charge vR = 1000V, CS = 0.125F, RS = 6 SZ AM /23.11.99 Beuermann Seite/page 1Technische Information / Technical Information Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode D 801 S 45 T S Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand R thJC beidseitig / two-sided, DC thermal resistance, junction to case max 0,01 C/W Anode / anode, DC max 0,0169 C/W Kathode /cathode, DC max 0,0249 C/W Khlflche / cooling surface bergangs-Wrmewiderstand R thCK beidseitig / two-sided max thermal resistance, case to heatsink 0,005 C/W einseitig / single sided max 0,010 C/W Hchstzulssige Sperrschichttemperatur t 125 C vj max max. junction temperature Betriebstemperatur t -40...+125 C c op operating temperature Lagertemperatur t -40...+150 C stg storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix Si - Element mit Druckkontakt 55DS45 Si - pellet with pressure contact Anprekraft F 15...36 kN clamping force typ Gewicht G 350 g weight Kriechstrecke 16 mm creepage distance Luftstrecke ca. 10 mm air distance DIN 40040 Feuchteklasse C humidity classification 2 f = 50Hz Schwingfestigkeit 50 m/s vibration resistance Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ AM /23.11.99 Beuermann Seite/page 2