Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D820N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values V 2000 2400 V Periodische Spitzensperrspannung T = -25C... T RRM vj vj max Kenndaten 2200 2600 V repetitive peak reverse voltages 2800 V Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 1273 A FRMSM maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom T = 100 C I 820A C FAVM average on-state current 1160 A Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I C P FAVM average on-state current 1820 A Durchlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state current Stostrom- Grenzwert T = 25 C, t = 10 ms I 10600 A vj P FSM surge cur rent T = T t = 10 ms 9000 A vj vj max P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 561,8 10As vj P = T , t = 10 ms 405 10As It-value T vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 2,4 kA v max. 2,15 V vj vj max F F on-state voltage T = T , i = 750 A max. 1,25 V vj vj max F Schleusenspannung T = T V 0,83 V vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzwiderstand T = T r 0,52 vj vj max T slope resistance T = T A= -1,056E-01 Durchlakennlinie 200 A i 4000 A vj vj max F B= 6,217E-04 on-state characteristic C= 2,148E-01 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F D= -1,863E-02 F F F max. Sperrstrom T = T , v = V i 40 mA vj vj max R RRM R Thermische Eigenschaften reverse current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,039 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,035 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,062 C/W Anode / anode, DC max. 0,058 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,093 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,089 C/W bergangs-Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thCH beidseitig / two-sided max. 0,0075 C/W thermal resistance, case to heatsink einseitig / single-sided max. 0,0150 C/W 160 Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+180C c op operating temperature T -40...+180C stg Lagertemperatur storage temperature prepared by: H.Sandmann date of publication: 2010-01-20 approved by: M.Leifeld revision: 3.1 IFBIP D AEC/ 2010-01-20, H.Sandmann A 14/10 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D820N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 6...15kN clamping force Gewicht G typ. 110g weight Kriechstrecke 10mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC/ 2010-01-20, H.Sandmann A 14/10 Seite/page 2/8