Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / maximum rated values V 2800 3600 V Periodische Spitzensperrspannung T = -25C... T RRM vj vj max Kenndaten 3200 4000 V 1) repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Durchlastrom-Grenzeffektivwert I 1790 A FRMSM max imum RMS on-state current T = 100 C C Dauergrenzstrom I 850A FAVM average on-state current 1210 A Dauergrenzstrom T = 55 C, = 180sin, t = 10 ms I C P FAVM average on-state current 1900 A Durchlastrom-Effektivwert I FRMS RMS on-state current Stostrom-Grenzwert T =25 C, t = 10 ms I 15400 A vj P FSM surge current T = T t = 10 ms 12800 A vj vj max P Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It 1186 10As vj P It-value T = T , t = 10 ms 819 10As vj vj max P Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung T = T , i = 3,5 kA v max. 2,62 V vj vj max F F on-state voltage T = T , i = 850 A max. 1,28 V vj vj max F Schleusenspannung T = T V 0,84 V vj vj max (TO) threshold voltage m Ersatzwiderstand T = T r 0,485 vj vj max T slope resistance T = T A= 1,127E-01 Durchlakennlinie 200 A i 4000 A vj vj max F B= 5,455E-04 on-state characteristic C= 1,541E-01 v = A + B i + C ln ( i + 1 ) + D i F F F F D= -1,097E-02 Sperrstrom T = T , v = V i max. 50 mA Thermische Eigenschaften vj vj max R RRM R reverse current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,038 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,035 C/W Anode / anode, = 180sin max. 0,064 C/W Anode / anode, DC max. 0,061 C/W Kathode / cathode, = 180sin max. 0,085 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,082 C/W bergan gs-Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thCH beidseitig / two-sided max. 0,005 C/W thermal resistance, case to heatsink einseitig / single-sided max. 0,010 C/W Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T 160 C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+160C c op operating temperature T -40...+160C Lagertemperatur stg storage temperature 1) 4000V auf Anfrage / 4000V on request prepar ed by: H.Sandmann date of publication: 2008-09-15 approved by: M.Leifeld revision: 3.0 IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 1/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Seite 3 Gehuse, siehe Anlage Mechanische Eigenschaften page 3 case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anprekraft F 10...24 kN clamping force Gewicht G typ. 285g weight Kriechstrecke 25mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 2/8