Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor T2563NH Phase Control Thyristor Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hchstzulssige Werte / Maximum rated values 7500 8000V Periodische Rckwrts-Spitzensperrspannung T = -40C... T V vj vj max RRM Kenndaten V repetitive peak and reverse voltages Elektrische Eigenschaften Periodische Rckwrts-Spitzensperrspannung T = 0C... T V 7700 8200V vj vj max RRM V repetitive peak reverse voltages 5370 A Durchlastrom-Grenzeffektivwert I TRMSM maximum RMS on-state current 2450 A Dauergrenzstrom T = 85 C I C TAVM 3420 A average on-state current T = 60 C C 63000 A Stostrom-Grenzwert T = 25 C, t = 10 ms I vj P TSM 56000 A surge current T = T , t = 10 ms vj vj max P 19800 10 As Grenzlastintegral T = 25 C, t = 10 ms It vj P 15700 10 As It-value T = T , t = 10 ms vj vj max P T = 50C, V V , i 10kA, 5000 A/s Kritische Stromsteilheit vj D BO T (di /dt) T cr P = 40mW, t = 0,5s LM rise critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit T = T , v = 0,67 V (dv /dt) vj vj max D DRM D cr th 2000 V/s critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5 letter H Charakteristische Werte / Characteristic values Schutzzndspannung (statisch) T = 25C T V min. 7500 V vj vj max BO Protective break over voltage Typischer Degradationsfaktor ist 0,16%/K fr Tvj = 0C..25C Typical de-rating factor of 0,16%/K is applicable for T = 0C..25C vj typ. 2,75 V Durchlaspannung T = T , i = 6000A, v = 200V v vj vj max T D T max. 2,95 V on-state voltage typ. 1,23 V Schleusenspannung T = T V vj vj max (TO) max. 1,28 V threshold voltage typ. 0,253 m Ersatzwiderstand T = T r vj vj max T max. 0,278 m slope resistance typ. A -0,00607 Durchlakennlinie on-state characteristic T = T vj vj max B 0,000181 C 0,162 D 0,00342 v = A + B i + C Ln ( i + 1) + D i T T T T max. A -0,00503 B 0,000187 C 0,160 D 0,00570 40 minimale Zndlichtleistung T = 25C, v = 200V I max. mW vj D GT minimum gate trigger light power Haltestrom T = 25C I max. 100mA vj H holding current Einraststrom T = 25C, v = V, I max. 1A vj D L latching current P = 40mW, t = 0,5s LM rise Rckwrts-Sperrstrom T = T i max. 900mA vj vj max R reverse blocking current v = V R RRM Zndverzug DIN IEC 60747-6 t max. 5s gd gate controlled delay time T = 25 C, vD = 1000V , vj P = 40mW, t = 0,5s LM rise prepared by: C. Schneider date of publication: 29.09.04 approved by: R. Keller revision: 8 BIP AM / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller Seite /page 1/7 Datenblatt / Data sheet N Netz-Thyristor T2563NH Phase Control Thyristor Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit T = T , i = I t vj vj max TM TAVM q circuit commutated turn-off time v = 100 V, v = 0,67 V RM DM DRM Thermische Eigenschaften dv /dt = 20 V/s, -di /dt = 10 A/s D T th 4.Kennbuchstabe / 4 letter O typ. 550 s Mechanische Eigenschaften Sperrverzgerungsladung T = T Q vj vj max r recovered charge i = I , -di /dt = 10 A/s TM TAVM T V = 0,5V , V = 0,8V R RRM RM RRM max. 22 mAs Rckstromspitze T = T I vj vj max RM peak reverse recovery current i = I , -di /dt = 10 A/s TM TAVM T V = 0,5V , V = 0,8V R RRM RM RRM max. 400 A Thermische Eigenschaften / Thermal properties Khlflche / cooling surface R Innerer Wrmewiderstand thJC beidseitig / two-sided, = 180sin max. 0,0048 C/W thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC max. 0,0045 C/W Anode / anode, DC max. 0,0083 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,0101 C/W bergangs-Wrmewiderstand Khlflche / cooling surface R thCH beidseitig / two-sided max. 0,001 C/W thermal resistance, case to heatsink einseitig / single-sided max. 0,002 C/W Hchstzulssige Sperrschichttemperatur T 120C vj max maximum junction temperature Betriebstemperatur T -40...+120C c op operating temperature Lagertemperatur T -40...+150C stg storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehuse, siehe Anlage Seite 3 case, see annex page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft F 90...130 kN clamping force Gewicht G typ. 4000g weight Kriechstrecke 49mm creepage distance Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s vibration resistance Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller Seite /page 2/7