TT162N08KOF Infineon

European Power- Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Marketing Information TT 162 N screwing depth for fillister head screw plug max. 11 A 2,8 x 0,8 M6x15 Z4-1 13 K2 G2 K1 G1 17 23 23 15 5 80 94 AK K A K1 G1 K2 G2 VWK February 1996TT 162 N, TD 162 N, DT 162 N Elektrische Eigenschaften Electrical properties Hchstzulssige Werte Maximum rated values Periodische Vorwrts- und repetitive peak forward off-state t = -40C...t V , V 600 800 1000 V vj vj max DRM RRM Rckwrts-Spitzensperrspannung and reverse voltages 1200 1400 1600 Vorwrts- non-repetitive peak forward off- t = -40C...t V = V V vj vj max DSM DRM Stospitzensperrspannung state voltage Rckwrts- non-repetitive peak reverse t = +25C...t V = V + 100 V vj vj max RSM RRM Stospitzensperrspannung voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current I 260 A TRMSM Dauergrenzstrom average on-state current t = 81C I 162 A c TAVM Stostrom-Grenzwert surge current t = 25C, t = 10 ms I 5200 A vj p TSM t = t , t = 10 ms 4400 A vj vj max p 2 2 2 Grenzlastintegral i t-value t = 25C, t = 10 ms i dt 135000 A s vj p 2 t = t , t = 10 ms 97000 A s vj vj max p Kritische Stromsteilheit current v 67%, V , f = 50 Hz (di/dt) 150 A/s D DRM o cr v =10V,i =0,6A,di /dt =0,6A/s L GM G Kritische Spannungssteilheit voltage t = t , v = 0,67 V (dv/dt) 1000 V/s vj vj max D DRM cr Charakteristische Werte Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage t = t , i = 500 A v max.1,41 V vj vj max T T Schleusenspannung threshold voltage t = t V 0,85 V vj vj max T(TO) Ersatzwiderstand slope resistance t = t r 0,95 m vj vj max T Zndstrom gate trigger current t = 25 C, v = 6 V I max. 150 mA vj D GT Zndspannung gate trigger voltage t = 25 C, v = 6 V V 2 V vj D GT Nicht zndender Steuerstrom gate non-trigger current t = t , v = 6 V I max.10 mA vj vj max D GD Nicht zndende Steuerspannung gate non-trigger voltage t = t , v = 0,5 V V max.0,25 V vj vj max D DRM GD Haltestrom holding current t = 25 C, v = 6 V, R = 5 I max. 200 mA vj D A H Einraststrom latching current t = 25 C,v = 6 V, R > = 10 I max.800 mA vj D GK L i = 0,6 A, di /dt = 0,6 A/s, t = 20 s GM G g Vorwrts- und Rckwrts- forward off-state and reverse t = t , v =V , v =V i , i max. 30 mA vj vj max D DRM R RRM D R Sperrstrom currents Zndverzug gate controlled delay time t =25C, i = 0,6 A, di /dt = 0,6 A/s t max.3 s vj GM G gd Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time siehe Techn.Er./see Techn.Inf. t typ.200 s q Isolations-Prfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min V 2,5 kV ISOL Thermische Eigenschaften Thermal properties Innerer Wrmewiderstand thermal resistance, junction =180el,sinus: pro Modul/per module R max.0,1 C/W thJC to case pro Zweig/per arm max.0,2 C/W DC: pro Modul/per module max.0,096 C/W pro Zweig/per arm max.0,192 C/W bergangs-Wrmewiderstand heatsink pro Modul/per module R max.0,03 C/W thCK pro Zweig/per arm max.0,06 C/W Hchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t 125 C vj max Betriebstemperatur operating temperature t -40...+125 C c op Lagertemperatur storage temperature t -40...+130 C stg Mechanische Eigenschaften Mechanical properties Gehuse, siehe Seite case, see page 1 Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation internal insulation AlN Anzugsdrehmoment fr mounting torque Toleranz/tolerance +/- 15% M1 6 Nm mechanische Befestigung Anzugsdrehmoment fr elektrische terminal connection torque Toleranz/tolerance +5%/-10% M2 6 Nm Anschlsse Gewicht weight G typ.310 g Kriechstrecke creepage distance 15 mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 5 . 9,81 m/s Diese Module knnen auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden. These modules can also be supplied with common anode or common cathode. Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.