NTE5452 thru NTE5458 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp Sensitive Gate, TO202 Description: The NTE5452 through NTE5458 are sensitive gate 4 Amp SCRs in a TO202 type package designed to be driven directly with IC and MOS devices. These reverse blocking triode thyristors may be switched from off state to conduction by a current pulse applied to the gate terminal. They are de- signed for control applications in lighting, heating, cooling, and static switching relays. Absolute Maximum Ratings: Repetitive Peak Reverse Voltage (T = +100C), V C RRM NTE5452 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V NTE5453 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V NTE5454 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V NTE5455 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5456 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V NTE5457 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5458 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V Repetitive Peak OffState Voltage (T = +100C), V C DRXM NTE5452 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V NTE5453 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V NTE5454 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V NTE5455 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5456 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V NTE5457 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5458 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V RMS On State Current, I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A T(RMS) Peak Surge (NonRepetitive) On State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), I . . . . . . . . . . . 20A TSM Peak GateTrigger Current (3s Max), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A GTM Peak Gate Power Dissipation (I I for 3s Max), P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W GT GTM GM Average Gate Power Dissipation, P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW G(AV) Operating Temperature Range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 to +100C opr Storage Temperature Range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 to +150C stg Typical Thermal Resistance, Junction toCase, R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5C/W thJCElectrical Characteristics: Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Peak OffState Current I V = Max, V = Max, 100 A RRM RRM DRXM T = +100C, R = 1k C GK I 100 A DRXM Maximum OnState Voltage V T = +25C, I = 4A (Peak) 2.2 V TM C T DC Holding Current I T = +25C 3 mA HOLD C DC GateTrigger Current I V = 6VDC, R = 100, T = +25C 50 200 A GT D L C DC GateTrigger Voltage V V = 6VDC, R = 100, T = +25C 0.8 V GT D L C Total Gate Controlled t T = +25C 1.2 s gt C TurnOn Time 2 2 2 I t for Fusing Reference I t > 1.5msoc 0.5 A sec Critical rate of Applied dv/dt R = 1k, T = +100C 8 V/s GK C Forward Voltage (critical) .380 (9.56) .180 (4.57) .132 (3.35) Dia A .500 (12.7) .325 1.200 (9.52) (30.48) Ref .070 (1.78) x 45 Chamf .300 (7.62) .050 (1.27) .380 (9.65) Min KA G .100 (2.54) .100 (2.54)
