NTE5539 NTE

NTE5539 & NTE5540 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 55 Amps, TO218 Features: High Voltage Capability High Surge Capability Glass Passivated Chip Electrical Characteristics: (T = +25C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified) A Repetitive Peak Off State Forward & Reverse Voltage, V , V DRM RRM NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V Maximum RMS OnState Current, I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55A T(RMS) Average On State Current, I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A T(AV) DC Gate Trigger Current (V = 12V, R = 30), I D L GT Minimum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mA Maximum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA Maximum Peak OffState Forward & Reverse Current (At rated V , V ), I I DRM RRM DRM, RRM (T = +25C) C NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A (T = +100C) C NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0mA NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5mA (T = +125C) C NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0mA NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0mA Peak On State Voltage (I = 55A, T = +25C), V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8V T(RMS) C TM Maximum DC Gate Trigger Voltage (T = +25C, V = 12V, R = 30), V . . . . . . . . . . . . . . 1.5V C D L GT Minimum DC Gate Trigger Voltage (T = +125C, V = 12V, R = 30), V . . . . . . . . . . . . . . 0.2V C D L GT Maximum DC Holding Current (Gate Open, Initial OnState Current = 400mA(DC)), I . . . . 60mA H Peak Gate Current (Pulse Width 10s), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A GM Peak Gate Power Dissipation (Pulse Width 10s), P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W GM Average Gate Power Dissipation, P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW G(AV) Peak One Cycle Surge Forward Current, I TSM 50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A 60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650A Minimum Critical Rate ofApplied Forward Voltage, dv/dt (T = +100C) C NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650V/s NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V/s (T = +125C) C NTE5539 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550V/s NTE5540 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 475V/sElectrical Characteristics (Contd): (T = +25C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified) A 2 2 RMS Surge (Non Repetitive) On State Current for Fusing (8.3ms), I t . . . . . . . . . . . . . . 1750A sec Maximum Rate ofChange of OnState Current (I = 150mA, t = 0.1s), di/dt . . . . . . . . 175A/s GT r Gate Controlled TurnOn Time (Gate Pulse = 150mA, Min Width = 15s, t 0.1s), t . . . 2.5s r gt Circuit Commutated Turn Off Time (Note 1), t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35s q Operating Temperature Range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 to +125C J Storage Temperature Range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 to +125C stg Lead Temperature (During Soldering, 1/16 from case, 10sec max), T . . . . . . . . . . . . . . . . . +230C L Note 1. i = 2A, Pulse Duration = 50s, dv/dt = 20V/s, di/dt = 30A/s, I = 200mA at TurnOn T GT .600 (15.24) .060 (1.52) .173 (4.4) A .156 .550 (3.96) .430 (13.97) Dia. (10.92) KA G .500 (12.7) Min .055 (1.4) .015 (0.39) .215 (5.45) NOTE: Dotted line indicates that case may have square corners.