NTE5576 & NTE5578 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 175 Amps, TO94 Absolute Maximum Ratings: (T = +125C unless otherwise specified) J Repetitive Peak Voltages, V & V DRM RRM NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Non Repetitive Peak OffState Voltage, V DSM NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Non Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V RSM NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V Average OnState Current (Half Sine Wave, T = +90C), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110A C T(AV) RMS On State Current, I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A (RMS) Continuous On State Current, I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A T Peak OneCycle, Non Repetitive Surge Current (10ms Duration), I TSM 60% V reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2450A RRM V 10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2695A R 2 2 Maximum I t for Fusing (V 10V), I t R 2 10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36300A sec 2 10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27000A sec Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), I . . . . . . . . . . . . . . . 19A FGM Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), V . . . . . . . . . . . . . . 18V FGM Peak Reverse Gate Voltage, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V RGM Average Gate Power, P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W G Peak Gate Power (100s Pulse Width), P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W GM Rate of Rise of OffState Voltage (To 80% V , Gate Open), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/s DRM Rate of Rise of ON State Current, di/dt (Gate Drive 20V, 20, with t 1s, Anode Voltage 80% V ) r DRM Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/s Non Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/s Electrical Characteristics: (Maximum values T = +125C unless otherwise specified) J Peak OnState Voltage (I = 377A), V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.57V TM TM Forward Conduction Threshold Voltage, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.9V O Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.79m Repetitive Peak OffState Current (At V ), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA DRM DRM Repetitive Peak Reverse Current (At V ), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA RRM RRM Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (V = 6V, I = 2A, T = +25C), I . . 150mA A A J GT Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (V = 6V, I = 2A, T = +25C), V . . . . . 3V A A J GT Maximum Holding (V = 6V, I = 2A, T = +25C), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA A A J HElectrical Characteristics (Contd): (Maximum values T = +125C unless otherwise specified) J Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V GD Operating Temperature Range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 to +125C C Storage Temperature Range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 to +150C stg Thermal Resistance, Junction toCase (V = Max Rating), R F tnJC DC and 180 Sine wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.23C/W 120 Rectangular wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.28C/W Thermal Resistance, Case toHeat Sink, R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.08C/W thC HS 1.227 (31.18) Max (Across Corners) .875 (22.22) Dia (Ceramic) For No. 6 Screw Cathode .280 (7.11) Dia Max Gate (White) 7.500 Cathode 6.260 (190.5) (Red) (159.0) Max Max (Terminals 1 & 2) (Terminal 3) 2.500 (63.5) 1.031 (26.18) Max Dia Max Seating Plane .827 .500 (12.7) Max) (27.0) Max 1/220 UNF Anode