NTE5588 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 1600V, 360 Amps, TO93 Electrical Characteristics: (Maximum values T = +125C unless otherwise specified) J Repetitive Peak Voltages, V & V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V DRM RRM Non Repetitive Peak OffState Voltage, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V DSM Non Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V RSM Average OnState Current (Half Sine Wave, T = +85C), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226A C T(AV) RMS On State Current, I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355A T(RMS) Continuous On State Current, I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355A T Peak OneCycle, Non Repetitive Surge Current (10ms Duration), I TSM 60% V reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4650A RRM V 10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5120A R 2 2 Maximum I t for Fusing (V 10V), I t R 2 10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131,000A sec 2 10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97350A sec Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), I . . . . . . . . . . . . . . . 20A FGM Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), V . . . . . . . . . . . . . . 18V FGM Peak Reverse Gate Voltage, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V RGM Average Gate Power, P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W G Peak Gate Power (100s Pulse Width), P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W GM Rate of Rise of OffState Voltage (To 80% V , Gate Open), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/s DRM Rate of Rise of ON State Current, di/dt (Gate Drive 20V, 20, with t 1s, Anode Voltage 80% V ) r DRM Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/s Non Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/s Peak On State Voltage (I = 710A), V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.62V TM TM Forward Conduction Threshold Voltage, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.92V O Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.99m Repetitive Peak OffState Current (At V ), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA DRM DRM Repetitive Peak Reverse Current (At V ), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA RRM RRM Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (V = 6V, I = 2A, T = +25C), I . . 150mA A A J GT Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (V = 6V, I = 2A, T = +25C), V . . . . . 3V A A J GT Maximum Holding (V = 6V, I = 2A, T = +25C), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA A A J H Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V GD Operating Temperature Range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 to +125C C Storage Temperature Range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 to +150C stg Thermal Resistance, Junction toCase (V = Max Rating), R F tnJC DC and 180 Sine wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.12C/W 120 Rectangular wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.14C/W Thermal Resistance, Case toHeat Sink, R . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.04C/W thC HS1.443 (36.68) Max (Across Corners) 1.031 (26.18) Dia (Ceramic) .643 (16.35) For No. 6 Screw For No. 6 Screw .350 (8.89) Cathode Dia Max Gate (White) Cath- 8.100 ode (205.74) (Red) Max (Terminals 1, 2, & 3) 3.625 (92.07) 1.212 (30.8) Max Dia Max .156 (3.96) Max .630 (16.0) 3/416 UNF2A (Terminal 4) Anode 1.077 (27.35) Max