NTE5590, NTE5591, NTE5592, NTE5597 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 470 Amp, TO200AB Absolute Maximum Ratings: (T = +125C unless otherwise specified) J Repetitive Peak Voltages, V , V , V RRM DRM DSM NTE5590 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5591 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5592 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V NTE5597 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Non Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V RSM NTE5590 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V NTE5591 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V NTE5592 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V NTE5597 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V Average OnState Current (Half Sine Wave), I T(AV) T = +55C (Double Side Cooled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 470A hs T = +85C (Single Side Cooled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160A hs RMS On State Current (T = +25C, Double Side Cooled), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 780A hs T(RMS) Continuous On State Current (T = +25C, Double Side Cooled), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 668A hs T Peak OneCycle Surge (10ms duration, 60% V reapplied), I . . . . . . . . . . . . . . . . . 4650A RRM TSM (1) Non Repetitive OnState Current (10ms duration, V 10V), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5120A R TSM (2) 2 Maximum Permissible Surge Energy (V 10V), I t R 2 10ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131000A s 2 3ms duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97350A s Peak Forward Gate Current (Anode positive with respect to cathode), I . . . . . . . . . . . . . . . . 19A FGM Peak Forward Gate Voltage (Anode positive with respect to cathode), V . . . . . . . . . . . . . . . 18V FGM Peak Reverse Gate Voltage, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V RGM Average Gate Power, P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W G Peak Gate Power (100s pulse width), P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W GM Rate of Rise of OffState Voltage (To 80% V gate open circuit), dv/dt . . . . . . . . . . . . . 200V/s DRM Rate of Rise of On State Current, di/dt (Gate drive 20V, 20 with t 1s, anode voltage 80% V ) r DRM Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/s Non Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/s Operating Temperature Range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 to +125C hs Storage Temperature Range, T . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 to +150C stg Thermal Resistance, Junction toHeatsink, R th(jhs) (For a device with a maximum forward voltage drop characteristic) Double Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.095C/W Single Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.190C/WAbsolute Maximum Ratings (Contd): (T = +125C unless otherwise specified) J Peak OnState Voltage (I = 840A), V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.75V TM TM Forward Conduction Threshold Voltage, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.92V O Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.99m Repetitive Peak OffState Current (At V ), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA DRM DRM Repetitive Peak Reverse Current (At V ), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA RRM RRM Maximum Gate Current (V = 6V, I = 1A, T = +25C), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA A A J GT Maximum Gate Voltage (V = 6V, I = 1A, T = +25C), V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V A A J GT Maximum Holding Current (V = 6V, I = 1A, T = +25C), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA A A J H Maximum Gate Voltage Which Will Not Trigger Any Device, V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V GD .145 (3.7) Dia Max 8.500 (21.59) Max 1.650 (41.91) Max For No. 6 Screws Cathode .030 (.762) Min .755 Cathode Potential (Red) (19.18) Max .560 (14.22) Gate (White) Marking 1.650 .030 (.762) Min (41.91) Anode Max