Q65110A3121 OSRAM

2014-01-09 Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter in SMT Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter in SMT Version 1.1 BPW 34 FAS Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for the wavelength range of Speziell geeignet fr den Wellenlngenbereich von 730 nm to 1100 nm 730 nm bis 1100 nm Short switching time (typ. 20 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) DIL plastic package with high packing density DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Suitable for reflow soldering Geeignet fr Reflow Lten Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape IR-Fernsteuerung von Fernseh- und recorders, dimmers, remote controls of various Rundfunkgerten, Videorecordern, Lichtdimmern, equipment Gertefernsteuerungen Automotive (eg rain sensor, headset) Automotomobil (z.B. Regensensor, Headset) Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 870 nm, E = 1 mW/cm , V = 5 V e R I A P BPW 34 FAS 50 ( 40) Q65110A3121 2014-01-09 1Version 1.1 BPW 34 FAS Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 16 V R Sperrspannung Reverse voltage V 32 V R Sperrspannung (t < 2 min) Total power dissipation P 150 mW tot Verlustleistung Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent I 50 ( 40) A P Fotostrom 2 (V = 5 V, = 870 nm, E =1 mW/cm ) R e Wavelength of max. sensitivity 880 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 730 ... 1100 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A7.02 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of radiant sensitive area L x W 2.65 x 2.65 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche Half angle 60 Halbwinkel Dark current I 2 ( 30) nA R Dunkelstrom (V = 10 V) R Spectral sensitivity of the chip S 0.65 A / W typ Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips ( = 870 nm) 2014-01-09 2