Q62702P0273 OSRAM

2014-01-13 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 235 FA Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of 880 nm Speziell geeignet fr Anwendungen bei 880 nm Short switching time (typ. 20 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) 5 mm LED plastic package 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehuse Also available on tape and reel Auch gegurtet lieferbar Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape IR-Fernsteuerung von Fernseh- und recorders, dimmers, remote controls of various Rundfunkgerten, Videorecordern, Lichtdimmern, equipment Gertefernsteuerungen Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer 2 = 870 nm, E = 1 mW/cm , V = 5 V e R I A P SFH 235 FA 50 ( 40) Q62702P0273 2014-01-13 1Version 1.1 SFH 235 FA Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 32 V R Sperrspannung Total power dissipation P 150 mW tot Verlustleistung Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent I 50 ( 40) A P Fotostrom 2 (V = 5 V, E = 1 mW/cm , = 870 nm) R e Wavelength of max. sensitivity 900 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 740 ... 1120 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A7.02 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of radiant sensitive area L x W 2.65 x 2.65 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche Half angle 65 Halbwinkel Dark current I 2 ( 30) nA R Dunkelstrom (V = 10 V) R Spectral sensitivity of the chip S 0.65 A / W typ Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips ( = 870 nm) Quantum yield of the chip 0.93 Electro Quantenausbeute des Chips ns ( = 870 nm) /Photon 2014-01-13 2