Q62702P0073 OSRAM

2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 BPW 34 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 400 nm to Speziell geeignet fr Anwendungen im Bereich von 1100 nm 400 nm bis 1100 nm Short switching time (typ. 20 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) DIL plastic package with high packing density DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape IR-Fernsteuerung von Fernseh- und recorders, dimmers, remote controls of various Rundfunkgerten, Videorecordern, Lichtdimmern, equipment Gertefernsteuerungen Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E = 1000 lx, Std. Light A, V = 5 V v R I A P BPW 34 80 ( 50) Q62702P0073 2014-01-10 1Version 1.1 BPW 34 Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T T -40 ... 100 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V 32 V R Sperrspannung Total power dissipation P 150 mW tot Verlustleistung Characteristics (T = 25 C) A Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Spectral sensitivity S80 nA/Ix Fotoempfindlichkeit (V = 5 V, standard light A, T = 2856 K) R Photocurrent I 80 ( 50) A P Fotostrom (E = 1000 lx, Std. Light A, V = 5 V) v R Wavelength of max. sensitivity 850 nm S max Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity 400 ... 1100 nm 10% Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 2 Radiant sensitive area A7.02 mm Bestrahlungsempfindliche Flche Dimensions of radiant sensitive area L x W 2.65 x 2.65 mm x Abmessung der bestrahlungsempfindlichen mm Flche Half angle 60 Halbwinkel Dark current I 2 ( 30) nA R Dunkelstrom (V = 10 V) R Spectral sensitivity of the chip S 0.62 A / W typ Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips ( = 850 nm) 2014-01-10 2