2014-01-08 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 SFH 4235 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle mit hohem Wirkunsgrad Double Stack emitter 2- fach Stack Emitter Low thermal resistance (Max. 9 K/W) Niedriger Wrmewiderstand (Max. 9 K/W) Centroid wavelength 850 nm Schwerpunktwellenlnge 850 nm ESD safe up to 2 kV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC ESD sicher bis 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2011 JS-001-2011 Superior Corrosion Robustness (see chapter Erweiterte Korrosionsfestigkeit (s.a. Abschnitt package outlines) Mazeichnung) The product qualification test plan is based on the Die Produktqualifikation wurde basierend auf der guidelines of AEC-Q101-REV-C, Stress Test Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. Semiconductors, durchgefhrt. Package: SMT package Gehuse: SMT-Bauform Applications Anwendungen Infrared Illumination for cameras Infrarotbeleuchtung fr Kameras Surveillance systems berwachungssysteme Maschine vision systems Beleuchtung fr Bilderkennungssysteme Notes Hinweise Depending on the mode of operation, these devices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile emit highly concentrated non visible infrared light hochkonzentrierte, nicht sichtbare which can be hazardous to the human eye. Products Infrarot-Strahlung, die gefhrlich fr das which incorporate these devices have to follow the menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC Bauteile enthalten, mssen gem den 62471. Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2014-01-08 1Version 1.2 SFH 4235 Ordering Information Bestellinformation Type: Total Radiant Flux Ordering Code Typ: Gesamtstrahlungsfluss Bestellnummer I = 1A, t = 10 ms F p mW e SFH 4235 >630 (typ. 950) Q65110A8900 Note: Measured with integrating sphere. Anm.: Gemessen mit Ulbrichtkugel. Maximum Ratings (T = 25 C) A Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T T -40 ... 125 C op stg Betriebs- und Lagertemperatur Junction temperature T 145 C j Sperrschichttemperatur Reverse voltage V 1V R Sperrspannung Forward current I 1000 mA F Durchlassstrom Surge current I 5A FSM Stostrom (t 200 s, D = 0) p Power consumption P 3400 mW tot Leistungsaufnahme Thermal resistance junction - solder point R 9K / W thJS Wrmewiderstand Sperrschicht - Ltpad ESD withstand voltage V 2kV ESD ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM) 2014-01-08 2